35. 在P型半導體中，傳導電流的主要載子為何？(A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子
36. 半導體的原子結構中，最外層軌道上的電子數為多少？(A)少於4個 (B)等於4個 (C)多於4個 (D)依材料而定
37. 稽納二極體常應用於何種電路？(A)放大電路 (B)濾波電路 (C)整流電路 (D)穩壓電路
39. 欲使鍺或矽形成N型半導體，應加入之雜質為何？(A)三價元素 (B)四價元素 (C)五價元素 (D)六價元素
38. PN接面二極體，欲使其達到順向偏壓導通，則其外加電壓極性何者正確?(A)P加正極，N加正極 (B)P加負極，N加正極(C)P加正極，N加負極 (D)P加負極，N加負極
40. NPN電晶體若欲工作在作用區(active region)則：(A)基射接面需順偏，基集接面需順偏(B)基射接面需順偏，基集接面需反偏(C)基射接面需反偏，基集接面需順偏(D)基射接面需反偏，
41. 電晶體電路中，在正常情況下若將電晶體當成開關，當OFF狀態時，其工作區域為：(A)線性工作區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)負電阻區
42. 如圖【14】所示之電路，屬於下列何種偏壓電路？ (A)固定偏壓電路(B)集極回授偏壓電路(C)射極回授偏壓電路(D)基極分壓偏壓電路
43. 二極體逆向偏壓愈大，則空乏區寛度的變化情形，下列何者正確？(A)變大 (B)變小 (C)不變 (D)不一定
44. 設有一放大器之輸入功率為100mW，輸出功率為10W，則其功率增益為多少分貝？(A)40dB (B)20dB (C)30dB (D)10dB
45. 如圖【15】所示電路，為何種濾波器電路？ (A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)帶通濾波器(D)帶拒濾波器
46. 增強型P通道絕緣閘MOSFET的符號為何？(A) (B) (C) (D)
2.一台電動機自電源輸入 220 伏特，4 安培，若其效率為 80%，請問其輸出功率為多少瓦特？(A)176 (B)704 (C)880 (D)1100
3.將額定 100 瓦特、200 伏特的電熱絲接於 100 伏特之電源，則其產生的功率為多少瓦特？(A)25 (B)50 (C)200 (D)400
5.滿刻度為 1mA，內阻為 50Ω的安培表，若想要擴大為 0~100mA 的量度範圍，則其分流器的電阻值應為多少Ω？(A)0.315 (B)0.505 (C)0.8 (D)4950
6.目前台電公司供給一般家庭的電源，其頻率為多少赫茲(Hz)？(A)50 (B)60 (C)100 (D)110
4.某導線上的電流為 2 安培，則在 10 分鐘內流過該導線的電量為多少庫倫？(A)5 (B)20 (C)120 (D)1200
7.如(圖 7) 所示電路，若 A 點對地電位 7V，B 點對地電位 4V，則 I 之值應為多少？ (A)0.5A(B)-0.5A(C)2.5A(D)-2.5A
47. 如圖【16】所示之電路符號，為何種電子元件？ (A)JFET(B)N通道空乏型MOSFET(C)N通道增強型MOSFET(D)P通道空乏型MOSFET
48. 大型積體電路LSI是指在一個晶片上所含零件數為何？(A)100個以下 (B)100～1000個(C)1000～10000個 (D)10000個以上
49. 下列電子元件中，何者是靠單一種載子來傳導電流？(A)雙極性電晶體 (B)發光二極體(C)稽納二極體 (D)場效電晶體
50. 若理想運算放大器的輸入阻抗為Ri，輸出阻抗為Ro，則下列何者正確？(A)Ri = 0，Ro = 0 (B)Ri = ∞，Ro = 0(C)Ri = 0，Ro = ∞ (D)Ri = ∞，Ro
8.如(圖 8) 電路，電源 E 之值應為多少？ (A)18V(B)33V(C)51V(D)69V
9.如(圖 9) 電路，流經電阻 3Ω之電流為多少安培？ (A)0.5 (B)0.75(C)1.5 (D)2.5
10.將相同電容值的電容器 N 個並聯，其總電容量是串聯時總電容量的多少倍？ (A)N (B) (C)N2 (D)