12.如(圖 12) 電路，求 A、B 間總電感量為多少亨利？ (A)15 (B)35 (C)45 (D)55
14.自感量為 0.5 亨利的線圈，在 0.5 秒內其電流變化量為 12 安培，則線圈兩端感應電勢為多少 V？(A)3 (B)6 (C)12 (D)24
15.一只 10μF 電容器，接至 100V 直流電源，於 0.2 秒後此電容器充電完成，則在充電完成後電路之電流為何？(A)0A(B)1mA(C)5mA(D)1A
16.如(圖 16) 電路中，當開關 S 閉合瞬間，電流 I 之值為多少安培？ (A)2A (B)3A (C)4A (D)5A
17.有一台 8 極的交流發電機，若產生的電源頻率為 25 赫茲(Hz)，則該機每分鐘轉速為多少轉？(A)375 (B)600 (C)750 (D)1200
18.交流電壓及電流之方程式如下：v(t)=100cos(314t- 30°)V，i(t)=-5sin(314t+60°)A，則兩者的相位關係為：(A)電壓領先電流 30 度 (B)電壓領先電流 90
19.一元件兩端加上 伏特的電壓後，通過此元件之電流為 安培的電流，則此元件為何？(A)0.02 亨利的電感 (B)0.02 法拉的電容 (C)0.002 亨利的電感 (D)0.002 法拉的電容
20. Y-Y 平衡三相電路中，下列敘述何者正確？(A)線電壓大小為相電壓大小的 倍 (B)線電壓大小與相電壓大小相等(C)線電流大小為相電流大小的 倍 (D)相電流大小為線電流大小的 倍
21.某交流電頻率為 60Hz 經全波整流後，則在負載上之電壓波形的頻率為何？(A)180Hz (B)60Hz (C)100Hz (D)120Hz
22.本質半導體摻入何種元素可將電特性轉變為 P 型半導體？(A)磷 (B)砷 (C)銻 (D)硼
23.二極體之逆向電壓增加時，其內部接面電容值會產生何種變化？(A)減小 (B)增加 (C)不變 (D)先增加後減小
25.在整塊 N 型半導體中，是呈現何種電性？(A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性
24.二極體加上順向偏壓時，PN 接面會形成何種電容？(A)漂移電容 (B)位障電容 (C)擴散電容 (D)順向電容
26.某電壓信號 ，則其電壓有效值 Vrms 為何？(A) (B)100V (C)90V (D)80V
27.如(圖 27) 所示之偏壓電路與其直流輸出負載線，當 VBB=VCC時，欲使工作點由 Q1 修正到 Q2的位置，可採取下列何項措施？ (A)增加 RC (B)減少 RC (C)增加 RB (D)
28.在 RC 耦合串級放大電路中，耦合電容 C 值必須甚大，其原因為何？(A)級與級間之直流可順利通過 (B)可使偏壓較穩定(C)散熱好 (D)防止低頻信號衰減
29.若一放大器之輸入為 10W，輸出為 0.1W，則其功率增益為多少？(A)-40dB (B)-20dB(C)40dB (D)20dB
30.有關場效應電晶體(FET)之敘述，下列何者錯誤？(A)由多數載子負責傳導電流 (B)傳導電流之大小由靜電場控制(C)輸入阻抗一般較雙極性接面晶體 BJT 還高 (D)載子為電洞者稱為 N 通道(
31.當 JFET 之逆偏壓 VGS＝VP 時：(A)通道寬度最大 (B)空乏區最小 (C)ID＝IDSS (D)ID＝0
32.若 FET 之參數 gm=2mA/V，rd = 20kΩ，則放大因數μ為何？(A)10 (B)40 (C)50 (D)60
33.有關理想運算放大器特性之敘述，下列何者錯誤？(A)開迴路增益無限大 (B)輸入阻抗無限大 (C)輸出阻抗無限大 (D)頻帶寬度無限大
34.若做為線性放大器時，場效應電晶體應工作於何種區域？(A)歐姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區
35.如(圖 35) 所示，運算放大器為理想，且其飽和電壓為±12V，當 Vs(t)＝10mV，則 Vo(t)=？ (A)100mV (B)-10V (C)-1V (D)-12V
36.如(圖 36) 所示之理想運算放大器電路，流經稽納二極體之電流 IZ =1mA，運算放大器之飽和電壓為±15 V，則 R 值為何？ (A)1 kΩ(B)2.5 kΩ(C)3 kΩ(D)5 kΩ
37.如(圖 37) 所示之史密特觸發電路，若 R2=2R1，且輸入電壓 Vi(t)=6sin100tV，則其輸出電壓 Vo(t)為何種波形？ (A)正弦波 (B)鋸齒波 (C)三角波 (D)方波