三、若是 TCP 的「三向交握」(Three-Way Handshake)已完成前 2 個部分,而第 3 部分在傳送過程中遺失,則依然可開始傳送資料嗎?請說明原因。(10 分)
四、如何使用公開金鑰密碼技術以同時達到身分驗證與資料保密?試繪圖說明之。(10 分)
五、【題組】⑴若是 TCP/IP 協定組中沒有「傳輸層」,也就是沒有「連接埠」(Port)的存在,試問會有什麼結果?(10 分)
【題組】 ⑵為何「傳輸層」也稱之為「End-to-End」或「Host-to-Host」?(5 分)
六、請說明 MAC 位址、IP 位址與網域名稱(Domain Name)之間的關係。另外,其彼此間轉換的協定各為何?(15 分)
七、當封包經過 1 個網路設備時,網路介面卡可根據那 4 種方式來判斷該封包是否要往上層傳送?(10 分)
八、【題組】⑴試說明 NAT(Network Address Translation)伺服器的運作原理。(10 分)
【題組】 ⑵試問何謂靜態 NAT 與動態 NAT?(5 分)
一、一個均勻摻雜的 pn 接合面濃度是 na=1019 cm-3 以及 nd=1014 cm-3。若 ni=1010 cm-3,kT/q=0.026 V。(每小題 5 分,共 20 分)【題組】⑴當外
【題組】 ⑵當外加偏壓 V=0.6 V 時,空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少?
【題組】 ⑶當外加偏壓 V=0.6 V 時,空乏區兩側邊緣的過量少數載子(excess minority carrier)濃度分別是多少?
【題組】 ⑷當外加偏壓 V=0.6 V 時,空乏區兩側邊緣的多數載子濃度分別是多少?
二、一個 N+複晶矽-二氧化矽-p 型矽基板的 MOS 電容器內,當基板摻雜濃度減少時,請說明下列各參數有何變化,並簡單解釋。(每小題 4 分,共 20 分)【題組】⑴累積區電容。
【題組】 ⑵空乏區電容。
【題組】 ⑶反轉區電容。
【題組】 ⑷平帶電壓(flat-band voltage)。
【題組】 ⑸臨界電壓(threshold voltage)。
三、【題組】⑴什麼是複晶矽閘極空乏現象(poly-Si gate depletion)?(10 分)
【題組】 ⑵它對 MOS 元件的各項特性有何影響?(10 分)
四、【題組】⑴說明 BJT 元件的基極採用矽鍺化合半導體有何優點?(10 分)
【題組】 ⑵鍺在基極的濃度須如何設計,為什麼?(10 分)
五、【題組】⑴畫出 pn 接面受不同的光強度照射時的 I-V 曲線圖(標明光強度大小)。(6 分)
【題組】 ⑵在上圖中指出 p-i-n 光二極體(photodiode)和雪崩光二極體(avalanche photodiode)的工作區域。(6 分)
【題組】 ⑶ p-i-n 光二極體和雪崩光二極體應用在光纖通訊領域時各有何優點?(8 分)
一、試就昆蟲口器形態的不同,說明其對農作物的危害特徵。(15 分)