3. 有關重疊定理(Principle of Superposition)的應用,下列何者有誤?(A)獨立電壓源可以用短路代替 (B)獨立電流源可以用開路代替(C)相依電源可以用開路或短路代替 (D)
4. 兩個磁耦合線圈的自感分別為L1= 10 mH,L2= 16 mH,設耦合係數為0.85,求互感量為?(A) 10.75 mH (B) 11.66 mH (C) 12.65 mH (D) 14.8
6. 理想二極體組成之箝位器(Diode Clampers)電路,如右圖所示,若輸入為0 ~10 V之方波,試求其輸出電壓範圍?(A) -10~0 V (B) -7~3 V(C) -3~7 V (D)
7. 若一齊納二極體(Zener Diode)在25 ℃時崩潰電壓為15 V,溫度係數為0.02 %/℃,若崩潰電壓升為15.135 V,求當時溫度為何?(A) 35 ℃ (B) 45 ℃ (C) 6
8. 關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性,下列敘述何者有誤?(A)並非一般二極體的pn接面,而是半導體與金屬接面(B)對於偏壓改變有快速反應能力,應用於高頻與高速切換(C)順向電壓降
10. 有關於BJT電晶體(npn)之敘述,下列敘述何者有誤?(A)基極-射極、基極-集極接面皆施與順向偏壓,電晶體將工作於飽和區(B)當基極電流逐漸下降為0,電晶體將進入截止區(C)在飽和區工作之電
16. 一BJT電晶體直流工作電路如右圖,若不希望電晶體進入飽和區,請問ܸ 在基極端所產生之電流最大允許增加量為何?(A) 100 μA (B) 150 μA(C) 175 μA (D) 200 μA
18. 有一差動放大器,CMRR= 2000、共模增益 、輸入電壓分別為200 μV、100 μV,求輸出電壓?(A) 39.97 mV (B) 40 mV (C) 40.03 mV (D) 40.0
19. 對於電晶體組成共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)電路特性,下列敘述何者有誤?(A)高電壓增益 (B)加入射極旁路電容可提高電壓增益(C)高電流增益 (D)輸出與輸
24. 有一個10 Ω電阻器與一個5 mH電感器並聯,然後再跟一個5 Ω電阻,以及一個10 μF的電容器串聯,求此電路在ω= 2000ݎ݀ܽݏൗ 時的阻抗?(A) 10-j45 Ω (B) 10+j4