31.如右圖之電路,假設 ,所有的 MOSFET(Q1~Q4)的爾利電壓(Early Voltage)|VA | 50 V,且g m=0.5mA⁄V ,忽略基體效應(Body Effect),請問輸出
33.如右圖之電路,假設 ,BJTQ1、Q2、Q3的電流增益β均為 80,V T=25 mV,且爾利電壓(Early Voltage)|VA | 100 V ,求Ro的電阻值為多少?(A) 191 M
34.對一MOSFET 以一固定的vGS 電壓操作在飽和區,在vDS= 4 V時, = 2 mA,且vDS =8 V 時, = 2.1 mA,請問其爾利電壓(Early Voltage)|VA |為多
42.如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT,下列敘述何者正確? (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA)(B)降低源極(Source)區域的濃度(N