電子學

37.有關 MOSFET 作為線性放大器需操作於何區？ (A)歐姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區

38.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 38】所示，若 BJT 切入電壓 VBE = 0.7V，β = 100， VBB = 5.7V，VCC = 10V， RC = 2kΩ ， RB

39.橋式整流電路如【圖 39】所示，若交流側輸入電壓有效值ES 為 100V，則輸出電壓平均值約為何？(A) 141.4V (B) 100V (C) 90V (D) 63.6V

40.如【圖 40】所示電路，二極體為理想特性，若 VDD = 6V，R1 =1kΩ，則電流 IR 為何？(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 6 mA

41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，RC=500Ω，VCC=10V， IB=1mA，則下列何者正確？(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體

42.如【圖 42】所示之理想運算放大電路，R1=R2=10kΩ，Rf=R3=20kΩ，若 V1=2V、V2=3V，則在正常操 作其輸出電壓 V0 為何？(A) 2V (B) 4V (C) 5V (D

43.由 MOSFET 組成數位邏輯閘如【圖 43】，此為何邏輯閘？(A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)反及閘(NAND gate) (D)反或閘(NOR gate)

44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示，BJT 的 β = 50 ，熱電壓 VT =25mV，若直流偏壓的集極電流 IC =1.2mA，則轉移電導(互導)g

45.雙極性接面電晶體(BJT)在主動區操作其混合 π 型小信號模式如【圖 45】所示，BJT 的 β = 100 ，熱電壓 VT = 25mV ，若直流偏壓時的電流 IB = 25 μA ，則電阻

46.共射極放大電路如【圖 46】所示，BJT 的 β = 50 、切入電壓 VBE = 0.7V、RC = 2kΩ，VCC = 12V， 若直流偏壓的 VCE = 6V ，則電阻 RB 約為何？(A

47.共源極放大電路如【圖 47】所示，若 MOSFET 小信號模式的轉移電導 gm = 2mA\/V 、輸出電阻 rd = 50kΩ ，忽略電容 CD 及 CG效應，則小信號的電壓增益為何？(A)

48.理想運算放大電路如【圖 48】所示，若輸入電壓 vi = 0.1sin(250t) V ，輸出電壓 vo = 2.0sin(250t) V， 則電阻 R1 為何？(A) 10 kΩ (B) 5

49.反相輸入型施密特(Schmitt)觸發器如【圖 49】所示，R1 = 1kΩ，R2 = 9kΩ ，輸出的飽和電壓 Vsat 約 為±10 V，此遲滯(hysteresis)電壓 VH 為何？(A

50.考畢子振盪器(Colpitts oscillator)如【圖 50】所示，電路的振盪頻率 fo 為何？(A) (B)(C) (D)

2. 當我們運用三用電表的歐姆檔來測量二極體是否為良品時，如果測試棒交替量測二極體的接腳後，三用電表指針皆顯示為低電阻，請問該二極體的狀態為下列何者? (A) 斷路 (B) 短路 (C) 無法判斷 (

3. 下列關於雙極性接面電晶體(BJT)之敘述何者錯誤? (A) 摻雜濃度最高的是射極 (B) 集極摻雜濃度升高，可提高逆向崩潰電壓 (C) 射極接面空乏區寬度小於集極接面空乏區寬度 (D) 射極和集

4. 下列哪一個組態的雙極性接面電晶體(BJT)放大電路有最大的電壓增益，且能將輸入信號反相輸出? (A) 共基極 (B) 共射極 (C) 共集極 (D) 共基極、共射極或共集極皆可

5. 下列何者為 dBm 之基本定義? (A) (B)(C) (D)

6. 石英晶體運用下列何種效應可以產生高精度的振盪頻率? (A) 電流效應 (B) 壓電效應 (C) 電壓效應 (D) 電磁效應

7. 試求【圖 7】所示電路之輸入電阻 Ri 為多少歐姆? (A) 1 kΩ (B) 10 MΩ (C) 15 MΩ (D) 20 MΩ

8. 下列哪一種組態的場效電晶體(FET)放大電路功率增益為最大? (A) 共閘極 (B) 共汲極 (C) 共源極 (D) 含源極電阻之共源極

9. 某臨界電壓 VT=1V、元件參數 K=0.3mA\/V² 的 N 通道增強型金屬氧化物半導體場效電晶體(EMOSFET)放大電路，若其工作於夾止區、VGS=4V，則轉移電導 gm 為多少 mA

10. 源極隨耦器為下列哪一種放大電路? (A) 共閘極放大電路 (B) 共源極放大電路 (C) 共汲極放大電路 (D) 共射極放大電路

11. 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)疊接放大器分別由哪兩種組態為第一級與第二級所組成? (A) 共源極(CS)、共閘極(CG) (B) 共源極(CS)、共汲極(CD) (C) 共閘極(C

12. 若欲將【圖 12】所示放大電路之工作點(Q 點)移向 A 點，請問執行下列何種動作可以辦到?(A) 增加 RB 電阻值 (B) 減小 RB 電阻值 (C) 增加 Rc 電阻值 (D) 減小 R

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