14. 在電晶體的基極電流不變時，代表共射極放大電路中的哪個參數？ (A) (B) (C) (D)
15. 波峰因數定義為： (A) 最大值與平均值之比 (B) 平均值與有效值之比 (C) 有效值與平均值之比 (D) 最大值與有效值之比
16. 下列敘述何者不是共集組態放大電路之特性？ (A) 具有很高的輸入阻抗 (B) 具有極低的輸出阻抗 (C) 具有很大的電流增益 (D) 具有很大的電壓增益
17. 若雙載子接面電晶體(BJT)之 α 值為 0.99，則其 β 值應為多少？ (A) 85 (B) 99 (C) 88 (D) 90
18. 試計算【圖18】電流鏡電路之電流 I 為多少？ (A) 0mA (B) 6mA (C) 11.3mA (D) 12.7mA
19. 若【圖19】電路中之=18V，=5.1V，=0.7V，R1 = 1kΩ，= 2.2kΩ，則電流 I 為多少？ (A) 2mA (B) 4.4mA (C) 5.4mA (D) 12
20. 僅對輸入信號具有半波導通特性的功率放大器為何？ (A) A 類放大器 (B) B 類放大器 (C) AB 類放大器 (D) C 類放大器
21. 電壓增益分別為 10dB、20dB 與 30dB 的三個放大器串接後其總增益為何？ (A) 60 (B) 100 (C) 1000 (D) 6000
22. 一個規格 60W 的功率電晶體，此 60W 指的是： (A) 該電晶體交流信號輸出功率 (B) 該電晶體最大集極散逸直流功率 (C) 該電晶體最大射極散逸直流功率 (D) 電源供
23. 某功率放大器輸入信號功率為 1W，功率增益為 20dB，則此放大器的輸出功率為多少？ (A) 10W (B) 20W (C) 100W (D) 200W
24. 設計推挽式放大器主要目的是可以減少： (A) 偶次諧坡失真 (B) 奇次諧坡失真 (C) 相位失真 (D) 直流成分的失真
25. 對於串級放大器的敘述，下列何者正確？ (A) 增加串接級數，可增加操作頻寬 (B) 增加串接級數，可增加輸入阻抗 (C) 增加串接級數，可降低輸出阻抗 (D) 增加串接級數，可增
26. 對 RC 耦合(Couple)放大器而言，產生低頻增益衰減的原因為何？ (A) 由耦合電容 C 與旁路電容 C’(Cs)所造成 (B) 由寄生電容(Parasitic capacit
27. 電晶體電路在分析中頻小信號特性時，下列敘述何者錯誤？ (A) 將旁路電容視為短路 (B) 將交連電容視為短路 (C) 將寄生電容視為短路 (D) 將直流電壓源視為短路
28. 若【圖28】電路的 R=5Ω，C=20μF，vᵢ=10sin(10⁴t)V，試計算其 vₒ = ? (A) 5sin10⁴t V (B) 7.07sin(10⁴t-45°)V (C
29. 接面場效應電晶體(JFET)產生汲極飽和電流()的條件為： (A) (B) (C) (D)
30. 關於 N 通道增強型 MOSFET，下列敘述何者正確？ (A)應加負電壓 (B) ||愈大，則電流愈大 (C)=0 時，僅由少數載子所形成 (D) 通道將隨的提升而增強
31. 某 JFET 之汲極飽和電流為，夾止(Pinch-off)電壓為，閘源極偏壓為，則互導=? (A) (B) (C) (D)
32. 某 n 通道 JFET 的=10mA，Vp=-4V，當工作點= -2V，= 5V，試求為多少？ (A) 0.5mA (B) 1.5mA (C) 2.5mA (D) 5mA
33. 關於【圖33】電路的敘述，下列何者錯誤？ (A) 這是 CMOS 反相器電路 (B) 消耗功率與輸入信號電壓成正比 (C) 具有極好的溫度穩定性 (D) 靜態功率消耗極低
34. 關於電壓串連負回授電路，輸入與輸出阻抗的效應，下列何者正確？ (A) 輸入阻抗增加，輸出阻抗降低 (B) 輸入阻抗增加，輸出阻抗增加 (C) 輸入阻抗降低，輸出阻抗增加 (D)
35. 關於負回授電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 可降低非線性失真 (B) 可增加操作頻寬 (C) 可降低雜訊干擾 (D) 可提高電路增益
36. 若【圖36-1】電路的輸入信號 vᵢ=1mV 測得 vₒ=10V，同一信號輸入【圖36-2】電路測得 vₒ=10mV，試計算該運算放大器之共模拒斥比(CMRR)？ (A) 10dB (
37. 【圖37】電路中 V1 = 5V、V2=3V、R1= 2kΩ、R2=10kΩ，若運算放大器的特性為理想，試求輸出電壓 Vₒ 為多少？ (A) -2V (B) 2V (C) -10V
38. 下列何者是低頻振盪器？ (A) 考畢子(Colpitts)振盪器 (B) 哈特萊(Hartley)振盪器 (C) 石英晶體(Crystal)振盪器 (D) 韋恩(Wien)電橋振