資訊推薦

• 26. 對 RC 耦合(Couple)放大器而言，產生低頻增益衰減的原因為何？ (A) 由耦合電容 C 與旁路電容 C’(Cs)所造成 (B) 由寄生電容(Parasitic capacit
• 27. 電晶體電路在分析中頻小信號特性時，下列敘述何者錯誤？ (A) 將旁路電容視為短路 (B) 將交連電容視為短路 (C) 將寄生電容視為短路 (D) 將直流電壓源視為短路
• 28. 若【圖28】電路的 R=5Ω，C=20μF，vᵢ=10sin(10⁴t)V，試計算其 vₒ = ? (A) 5sin10⁴t V (B) 7.07sin(10⁴t-45°)V (C
• 29. 接面場效應電晶體(JFET)產生汲極飽和電流()的條件為： (A) (B) (C) (D)
• 14. 空間中兩向量等於 2，且外積的長度為的長度為何？ (A) 1 (B) (C) 2 (D) 4
• 15. 設a,b為實數且滿足 (4+3i)(a+bi)=24+7i，其中的值為何？ (A) 4 (B) 5 (C) 16 (D) 25
• 16. 某彩券的玩法是電腦從 1 到 49 的整數中，隨機抽出 6 個相異整 數做為當次的中獎號碼。購買者可從 1 到 49 的整數中，任意挑 選 6 個相異整數，做為一組彩券號碼，如果這組彩券號碼與
• 17. 令 f (x) 為一個實係數多項式，如果x2f(x)-1可以被 x +1整除，x2f(x)+1可以被 x -1整除，且f(x)除 以 x2-1的餘式為 ax+b。試求2a+3b的值為何？ (A
• 30. 關於 N 通道增強型 MOSFET，下列敘述何者正確？ (A)應加負電壓 (B) ||愈大，則電流愈大 (C)=0 時，僅由少數載子所形成 (D) 通道將隨的提升而增強
• 18. 某校開設文學、藝術與生活科 技三門特色課程。該校共有 30 位 同學，每位同學都至少選修兩門以上 的特色課程。文學與藝術這兩門課都選的同學有 10 位；藝術與生活科技這兩門課都選的同學有 11
• 19. 某公司舉辦抽獎活動，抽獎箱有金球、白球各若干顆，每個球被抽中的機率相等。抽獎規則為抽到金球可得獎金 650元，其餘情形 皆沒有獎金。甲、乙、丙、丁四位來賓依序由箱中抽取一球，且取後不放回。甲抽
• 20. 複數平面上，已知非零複數z2到 i 的距離等於z2到 -i 的距離，z3到 i 的距離也等於z3到 -i 的距離。試選出正確的選項。 (A) (B) | z |=1 (C) z 的虛部為 0
• 31. 某 JFET 之汲極飽和電流為，夾止(Pinch-off)電壓為，閘源極偏壓為，則互導=? (A) (B) (C) (D)
• 32. 某 n 通道 JFET 的=10mA，Vp=-4V，當工作點= -2V，= 5V，試求為多少？ (A) 0.5mA (B) 1.5mA (C) 2.5mA (D) 5mA
• 33. 關於【圖33】電路的敘述，下列何者錯誤？ (A) 這是 CMOS 反相器電路 (B) 消耗功率與輸入信號電壓成正比 (C) 具有極好的溫度穩定性 (D) 靜態功率消耗極低
• 34. 關於電壓串連負回授電路，輸入與輸出阻抗的效應，下列何者正確？ (A) 輸入阻抗增加，輸出阻抗降低 (B) 輸入阻抗增加，輸出阻抗增加 (C) 輸入阻抗降低，輸出阻抗增加 (D)
• 35. 關於負回授電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 可降低非線性失真 (B) 可增加操作頻寬 (C) 可降低雜訊干擾 (D) 可提高電路增益
• 36. 若【圖36-1】電路的輸入信號 vᵢ=1mV 測得 vₒ=10V，同一信號輸入【圖36-2】電路測得 vₒ=10mV，試計算該運算放大器之共模拒斥比(CMRR)？ (A) 10dB (
• 37. 【圖37】電路中 V1 = 5V、V2=3V、R1= 2kΩ、R2=10kΩ，若運算放大器的特性為理想，試求輸出電壓 Vₒ 為多少？ (A) -2V (B) 2V (C) -10V
• 38. 下列何者是低頻振盪器？ (A) 考畢子(Colpitts)振盪器 (B) 哈特萊(Hartley)振盪器 (C) 石英晶體(Crystal)振盪器 (D) 韋恩(Wien)電橋振
• 39. 欲使一個正回授電路產生振盪，其環路增益|βA|應大約等於： (A) 0 (B) 0.707 (C) 1 (D) 1.414
• 40. 【圖40】所示為一階低通濾波器電路，若 R1 =1.6kΩ、R2 =1kΩ、R3 =10kΩ、C1= 0.02μF，運算放大器的特性為理想，試求截止頻率fo為多少？ (A) 5kHz
• 41. 下列何種雙載子接面電晶體(BJT)放大器之小訊號電壓增益最低？ (A) 共集極放大器(CC) (B) 共射極放大器(CE) (C) 共基極放大器(CB) (D) 共射極含射極電阻
• 42. 在 N 型半導體中，其多數載子(majority carrier)為： (A) 分子 (B) 原子 (C) 電子 (D) 電洞
• 43. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者錯誤？ (A) MOSFET 為雙載子元件 (B) MOSFET 為壓控元件 (C) MOSFET 輸入阻抗很高 (D) MOS