5. 設 450 keV 的單能量 γ 射線被 NaI(Tl) 晶體所吸收(效率為 12%)。NaI晶體產生平均能量 2.8 eV 的閃爍光子,其中有 75% 達到光電倍增管的陰極,該陰極將 20%的
7. 60Co 點射源活度為 100,000 MBq (2.7Ci),若以 10 cm 厚的鉛作屏蔽,試求距射源 1.25 公尺處的曝露率。已知 ΓCo-60 = 1.32 (R-m2)/(Ci-h)
6. 電子加速器運轉時,若手指被 5 MeV 的電子束照射 1 秒,此時被照射的部位平均吸收劑量為多少戈雷(Gy) ?[電子射束:109個電子/秒,電子射束的直徑=5 mm,電子在手指中能量損失為 2
8. 3.75 MeV 的光子衝擊 20 克的靶,產生 Compton 電子 e1為 1.10MeV,如下圖所示。此 Compton 電子誘發 0.60 MeV 的Bremsstrahlung 在 B