用戶【edison95204】點評問題和點評內容

【評論主題】37 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,IC = 0.838 mA,VT = 26 mV,β = 100,Cπ = 24 pF,Cμ = 3 pF,忽略爾利(Early)與所有其他電容效應,

【評論內容】

樓上 Cu2算法為題型 C-E or C-S 式 因 Cu有米勒效應

此題為C-B式 故Cu無米勒效應 

Cu直接拉地

輸出端 W3db=1/R'Cu

R'=10//1

   =0.91

W=1/3p*0.91k

    =366.3M

f=W/2拍

 =366.3M/6.28

 =58.3M Hz

【評論主題】35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β1 = β2 = 100,各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA,且第 2 級放大電路的輸入電阻 Ri2 = 20 kΩ,決定該串級放大電路的總

【評論內容】

re=25m/2.5m=0.01K

r拍約等於beta*re=0.01K*100=1K

alpha約等於1

1K//20K約等於1K

Vo = {[(Vi/re) * alpha *(1K//20K)]/[r拍+(1+beta)*1K]}*-beta*2K 

【評論主題】37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ,試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10(B) 7.5(C) 25/6(

【評論內容】

M2電阻等效=(1/gm2//ro2//ro1)=(1//5)=5/6

Vo={-Vi/[(1/gm1)+(M2電阻等效)]*(M2電阻等效)}/(1/gm3)*(ro3//10K)

     ={[-Vi/(1+5/6)]*5/6}*1*5

     =(-6Vi/11)*(5/6)*5

     =-25Vi/11 (Vi移到等式左邊)

     =-25/11

Vi/[(1/gm1)+M2電阻等效]*M2電阻等效 (此式為M3閘極之Vi)

【評論主題】37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ,試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10(B) 7.5(C) 25/6(

【評論內容】

M2電阻等效=(1/gm2//ro2//ro1)=(1//5)=5/6

Vo={-Vi/[(1/gm1)+(M2電阻等效)]*(M2電阻等效)}/(1/gm3)*(ro3//10K)

     ={[-Vi/(1+5/6)]*5/6}*1*5

     =(-6Vi/11)*(5/6)*5

     =-25Vi/11 (Vi移到等式左邊)

     =-25/11

Vi/[(1/gm1)+M2電阻等效]*M2電阻等效 (此式為M3閘極之Vi)

【評論主題】27. 有一AB類放大器電路如右圖,試求其交流輸出功率為?(A) 0.5 W(B) 0.9 W(C) 1.25 W(D) 1.5 W

【評論內容】

P=Vcc^2/2RL

題目為單電源故Vcc=12/2=6

P=6^2/2*20=0.9

【評論主題】37 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,IC = 0.838 mA,VT = 26 mV,β = 100,Cπ = 24 pF,Cμ = 3 pF,忽略爾利(Early)與所有其他電容效應,

【評論內容】

樓上 Cu2算法為題型 C-E or C-S 式 因 Cu有米勒效應

此題為C-B式 故Cu無米勒效應 

Cu直接拉地

輸出端 W3db=1/R'Cu

R'=10//1

   =0.91

W=1/3p*0.91k

    =366.3M

f=W/2拍

 =366.3M/6.28

 =58.3M Hz

【評論主題】35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β1 = β2 = 100,各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA,且第 2 級放大電路的輸入電阻 Ri2 = 20 kΩ,決定該串級放大電路的總

【評論內容】

re=25m/2.5m=0.01K

r拍約等於beta*re=0.01K*100=1K

alpha約等於1

1K//20K約等於1K

Vo = {[(Vi/re) * alpha *(1K//20K)]/[r拍+(1+beta)*1K]}*-beta*2K 

【評論主題】22 如圖所示電路,U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ、R2=2 kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性,下列何者正確? (A) (B) (C)

【評論內容】

請參考我第11題PO的說明

再把 Vi Vo 對應圖形畫出來答案就出來了

圖為精密半波整流電路,理想POA 開迴路增益無限大 D1 D2 又可稱作Super Diode

 

【評論主題】11 有 一放大器電路如圖所示,放大器 U1 為理想運算放大器,其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間,二極體 D1 順向電壓 VD0=0.7 V。若電阻 R1=1 kΩ,電源 VI=-5

【評論內容】

super diode 分析方式 

要先判斷OPA輸出之侷限電壓 即為B點電壓(題目給的範圍+10 -10)

OPA輸出之侷限電壓即為比較器分析方式

V+ =-5

V-  = 0    因 Diode還未導通 OPA 負回授尚未成立   ( 即 VR1= 0 = C點電壓 = V- ) 

V+ < V-     OPA=-10(B點電壓) 

B點電壓 -10  所以 Doide 逆偏 開路

反之若題目Vi=5

V+V- (B點電壓=10)

D1 ON (負回授成立)

答案為(A)

C點電壓=5

【評論主題】39 圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配,所有電晶體的|VA|=2 V,過驅電壓(Overdrive voltage)|VOV|=|VGS-Vt |=0.2 V,工作電流 ID皆為 0.2 mA

【評論內容】

ro = Va/ID = 10K

gm = 2ID/Vov = 2m

因為mos全匹配所以 Ro = Ro1//Ro2

                                        = Ro1/2 

Ro1(N-mos)//Ro2(P-mos) 

Ro1= ro*(1+gmro)+ro

約等於gmro^2

Ro = Ro1/2

      = gmro^2/2

      = [2m*(10K)^2]/2

      = ( 2m*100M)/2

      = 100K

【評論主題】35 有一電路的轉移函數 ,當頻率遠大於此電路的轉角頻率(Corner Frequency)時,頻率與|T(s)|的變化關係,下列何者正確?(A)頻率每增大十倍,|T(s)|減少 10 dB (B)頻

【評論內容】

此題目轉移函數有一極點 極點頻率為1=W3db

                             一零點 零點頻率為無限大 (零點為隱性)

依此題轉移函數零點為隱性而非顯性

顯性零點 則每增加10倍頻率 上升20dB/dec

       極點 則每增加10倍頻率 下降20dB/dec (極點無隱性)

       極點個數必等於零點個數

     

【評論主題】30 如圖所示之理想運算放大器電路,  ,求ωn 為何?(A)10K rad/s (B)50 K rad/s (C)100K rad/s (D)200 K rad/s

【評論內容】

Wn=W3db

W3db = 1/開根號(5K*5K*2n*2n)

           = 1/5k*2n

           = 100k rad/s

【評論主題】25 如圖電路,設電晶體的 β=100,VBE=0.7 V,則 IC電流約為: (A)19.6 mA (B)9.3 mA (C)0.1 mA (D)0 mA

【評論內容】

判斷飽和 beta x Ib Ic(sat)  or  beta x Rc Rb

【評論主題】12 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,若Vcc=5V且輸入電壓Vi=0V,下列敘述何者為正確? (A)Q2不導通、Q3不導通、輸出電壓Vo=5V (B)Q2導通、Q3不導通、輸出

【評論內容】

此為反向器邏輯電路

Vi輸入小電壓=VoL

Vo得VoH

反之

Vi輸入大電壓=VoH

Vo得VoL

Vi=0 為VoL 故Vo=VoH=Vcc

Vo=VoH=Vcc Q3截止

Q3截止 Q1為飽和 Vb2=Vi+Vce1=VoL+0.2=0+0.2

Vb2=0.2 Q2截止

【評論主題】39 如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,忽略其輸出阻抗(ro),該放大器之高頻 3-dB 頻率(ωH)為何?(A) 1

【評論內容】

個人淺見: 此題有瑕疵 高頻3dB 影響電容 Cgs Cgd 端看題目 C1=1nF C2=0.1PF 似乎不是晶體內部電容題目也未說明 則此題應為低頻3dB 答案為(C) 1.59M

若題意C1 C2 為 Cgs Cgd 答案為 (D) 318K

(高頻響應 低通電路 影響電容為 Cu C拍 Cgs Cgd)

(低頻響應 高通電路 影響電容 旁路 耦合)

本人端看題目電容應不為 Cgs Cgd 只好死馬當活馬醫

【評論主題】37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ,試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10(B) 7.5(C) 25/6(

【評論內容】

M2電阻等效=(1/gm2//ro2//ro1)=(1//5)=5/6

Vo={-Vi/[(1/gm1)+(M2電阻等效)]*(M2電阻等效)}/(1/gm3)*(ro3//10K)

     ={[-Vi/(1+5/6)]*5/6}*1*5

     =(-6Vi/11)*(5/6)*5

     =-25Vi/11 (Vi移到等式左邊)

     =-25/11

Vi/[(1/gm1)+M2電阻等效]*M2電阻等效 (此式為M3閘極之Vi)

【評論主題】36 如圖之電路,運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,若 Vo之週期為 3 ms,則 R2/R1為何? (A) 1/10(B) 1/4(C) 1/3(D) 1/2

【評論內容】

此電路為三角波產生器

公式 T=4RC*(R2/R1)

RC為負回授OPA

(R2/R1)為正回授OPA