【題組】 ⑶如果事先知道此一大學各學院學生使用智慧型手機的比例不一樣，則可使用分層隨機抽樣法。設此一大學一共有三大學院，商學院占 30%，社會學院占 40%，其它學院占 30%。由其它大學調查經驗得知
三、甲百貨公司擬估計顧客在甲百貨公司中的平均購買金額。依據甲百貨公司過去的經驗，差不多平均每天有 10,000 個顧客會到甲百貨公司光顧。使用重複系統抽樣，抽出 10 個「500 取 1」的系統樣本。
四、工廠的品管人員想估計主機板上的零件不良品之平均個數。由於主機板上的零件數目不一，且零件不良品的個數與主機板上的零件數目有很大的正相關，故採用比例機率集體抽樣法。由 N = 10 的主機板群體中抽出
五、公司主管欲估計新進秘書打字的正確率。今交代此位秘書打一份報告，一共有 100 頁一般 A4 大小。【題組】⑴如果以「頁」為抽樣單位（考慮一頁中可能全頁均有打字或沒有打滿整頁的情形），請問你會用何種
一、Si 的晶體結構為鑽石結構，是由兩個面心立方結構所組成的。面心立方結構的正立方體邊長，即晶格常數，為 5.43 Å。Si 的原子量為 28 克。求 Si 的鍵長、鍵角、原子濃度與密度。（15 分）
二、何謂近似自由電子模型（nearly free electron model）？說明在此模型下電子能量 E與波向量（wave vector）k 的關係、關係中所謂等效質量（effective mas
三、一個陡峭（abrupt）P+N 接面，NA = 1019/cm3、ND = 1017/cm3。求內建電位（built-inpotential），以及未外接偏壓時的空乏區寬度（depletion w
四、一個 N+PN 雙極性電晶體，其射極與基極的雜質濃度分別為 ND 與 NA，電洞與電子的擴散長度分別為 Lp 與 Ln，基極中性區的厚度為 W。若電晶體處於順向作用區（forward active
五、說明離子佈植（ion implantation）的基本原理。以離子佈植植入雜質的方法與擴散法比較有何優點？離子佈植後為何需要熱處理？說明離子佈植的通道效應（channeling effect），舉
六、Si 的 SiO2 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述：tox2 + A tox = Bt，公式中 tox 為氧化層厚度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾
36、I looked everywhere for my car key, and I finally_____it in the bathroom.(A)avoided (B)ignored (C
I just got a __________ at work. It＇s great encouragement to me. (A) pen (B) process (C) raise (D) r