問題詳情

【題組】 ⑵雖然 Si3N4 是一種很好的氧化遮罩材料,但在很高溫的蒸氣環境,它仍會氧化形成 SiO2。若因為 Si3N4 的氧化,導致 0.1µm 厚的 SiO2 生成,試問 Si3N4 會消耗多少厚度?(設 Si3N4 包含 1.48×1022 分子/cm3,而 SiO2 包含 2.3×1022 分子/cm3)(10 分)

參考答案

答案:D
難度:非常簡單0.96897
統計:A(54),B(21),C(418),D(15426),E(1)

用户評論

mayaman】評論

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cyj112778】評論

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Li-Chun Chen】評論

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