16. 如圖(八)所示之 MOSFET電晶體電路,該電晶體之臨界電壓(threshold voltage )Vt = 4V,參數K=0.5mA/V2,電路操作於飽和區工作點之 ID =2mA,則此工作點之 VGS為何?(A) 8V (B) 6V(C) 4V(D) 2V