資訊推薦

• 33. 下列何者不是鹼性蝕刻系統中會用到的原料？(A)NH4OH；(B)FeCl3；(C)NaClO2；(D)NH4Cl
• 34. 關於 UC 型鑽頭的敘述，下列何者有誤？(A)改善孔壁品質；(B)可有效降低鑽孔熱量；(C)過程中與板材之接觸面積大；(D)軟板不建議使用
• 35. PCB 製前工程根據客戶原始資料審查分析後，由原物料（BOM）需求的展開來決定原物料的廠牌、種類及規格，下列何者非 PCB 生產的主要原物料？(A)銅箔基板（Laminate）；(B)膠片（P
• 36. 多層電路板的製造材料，多數以玻纖布及樹脂為基礎的複合材料為主，以下何者非影響 PCB 原物料選擇的主要因素？(A)原料 Tg 點；(B)表面處理；(C)銅箔厚度；(D)絕緣層厚度
• 37. 關於 PCB 鑽孔的設計與生產，以下何者有誤？(A)隨著線路等級愈來越密集，銅焊墊與孔的設計趨勢由 Via Off Pad 走向 Via OnPad；(B)機械鑽孔放板時，上方覆蓋保護蓋板，下
• 38. 針對印刷電路板的規範，下列何者不是？(A) IEC；(B) IPC；(C) JPCA；(D) MEPC
• 39. 關於品質管制的敘述，下列何者正確？(A)品管是 QC 人員的責任；(B)許多品質問題在設計時就決定了；(C)品質管制只和廠內的能產流程有關；(D)品質管制等同於 FOC（Final Quali
• 40. 依據 IPC 的國際工業規範中，在外層孔環與破出 Annular Ring and Breakout（Internal）的品質檢驗項目何者是 Class II 的要求？(A)孔自環中允許破出
• 41. 除膠渣的製程方法有很多種，下列敘述何者正確？(A)硫酸法是採用低濃度的硫酸；(B)電漿法效率最快；(C)鉻酸法效率最低；(D)高錳酸鉀法目前使用最普遍
• 42. 在電路板的製程中常會使用到銅微蝕製程，請問微蝕製程中主要的管控項目為何？(A)樹脂損失量；(B)銅咬蝕速率；(C)背光；(D)銅沉積速率
• 43. 有關金相顯微切片的目的，下列敘述何者有誤？(A)觀察孔壁粗糙度；(B)判斷鍍銅層的延展性；(C)化學銅及電鍍層厚度量測；(D)量測蝕刻因子（Etching factor）
• 44. 有關可靠度測試的敘述，下列何者有誤？(A)絕緣可靠度測試要在乾燥的環境中進行；(B)可靠度實驗都需要再加速加強的方式以期在短時間模擬出可能發生的狀況；(C)環境測試為抽樣破壞性測試；(D)蒸氣
• 45. 電路板機械及組裝特性檢查中，線路剝離強度測試的銅箔試片尺寸是？(A)寬度 10 mm、厚度 35 μm；(B)寬度 35 mm、厚度 10 μm；(C)寬度 15 mm、厚度 25μm；(D)
• 46. 印刷電路板的可靠度主要分為導通與絕緣兩類，其中孔壁樹脂膠渣的殘留會引起？(A)鍍層龜裂；(B)孔壁與內層連接不良；(C)線路斷裂；(D)離子遷移。
• 47. 下列哪一個等級是 IPC-6012 定義的專業用途電子產品（Dedicated Service ElectronicProducts）所適用的範圍？(A) Class I；(B) Class
• 48. 下列何者非多層板電鍍孔可靠度測試較易發生的問題？(A)盲孔鍍層不均勻引起阻抗不匹配；(B)材料與鍍層物不合引起龜裂；(C)製程中產生鍍層缺陷；(D)膠渣引起連接不良
• 49. 電路板品質的好壞，問題的發生與解決，製程改進的情況，在在都需要微切片做為觀察研究與判斷的根據，下列哪一項非微切片檢查的項目呢？(A)孔緣龜裂；(B)層間剝落；(C)膠渣殘留；(D)電路板板彎板
• 50. 下列哪一項檢查與基板耐重性、彎曲強度、線路剝離強度、層間結合強度、鍍層密著性、焊錫性與折斷溝殘留量有關？(A)外觀；(B)機械及組裝特性檢查；(C)尺寸；(D)短斷路測試
• 3. 使用游離腔作為劑量量測工具，假設游離腔的空腔有效體積為 0.1 cm3，空氣密度為 g/cm3，在荷電粒子平衡(charged particle equilibrium)的情形下，其曝露校正參
• 28.若ω為角速度，γ為有效旋轉半徑， 為水之比重，為油之比重，d為油珠和水珠的直徑，則由高轉速離心力所產生的分離力量，可用下列何公式表示之？ (A) (B) (C) (D)
• 4. 有一圓柱型 GM 偵檢器，中央線絲為陽極(半徑 0.05 mm)。管壁為陰極，與中央線絲同軸心，半徑 12 mm。陰陽二極間的電位差為 900 Volts，請問距離陽極表面 0.1 mm 處的電
• 5. 若發生下列輻射生物效應，其存活期由長排到短為何？A.遲延效應 B.中樞神經症候群 C.造血症候群 D.腸胃症候群(A) ABCD (B) ACDB (C) DBCA (D) BCDA
• 6. 一光子能量為 662 keV，若發生康普吞效應而散射光子的散射角度θ為 45 度，則散射光子的能量約為多少 keV？(A) 144 (B) 279 (C) 384 (D) 480
• 7. 設計某游離輻射設施的次防護屏蔽時，若屏蔽滲漏輻射需要 5 公分的屏蔽，散射輻射需要 9 公分的屏蔽，已知半值層為 2 公分，則次防護屏蔽至少應需多少厚度？(A) 7 公分 (B) 9 公分 (C
• 8. X 光機主屏蔽設計公式為 K=Pd2 /WUT，下列敘述何者正確？A. P 值的單位為 mA-min/week B. K 值愈小所需屏蔽愈厚 C. T 值通常大於 1 D. U 值與 X 光的能