問題詳情

四、假設有一 n-channel Si MESFET，n-channel 的 doping 為 Nd = 1 × 1015 cm-3 ，channel 的厚度為 0.6 µm，求出內建電壓（built-in voltage）Vbi 及臨限電壓（threshold voltage）VT。 q = 1.6 × 10  −19C，Vt = kT/q = 0.0259 V，Metal 的功函數 qΦm = 4.75 eV，Si 的電子親和力  （electron affinity）qX = 4.05 eV，傳導帶電子的有效狀態密度 Nc = 2.84 × 1019 cm-3 ，   矽的本質濃度 ni = 1.0 × 10 cm-3 ，矽的介電係數

 = 11.7 × 8.85 × 10 F−14/cm。（20 分）

參考答案

答案：D
難度：簡單0.799065
統計：A(19),B(7),C(5),D(171),E(0)

用户評論

【Jerry】評論

(D)沒收....不再是從刑!!!應改為褫奪公權

【我要當警察】評論

D改為"褫奪公權"

【【站僕】摩檸Morning】評論

原本題目:108. 下列各項刑之種類中，何者屬於刑法上的從刑？(A)罰金(B)罰鍰(C)拘役(D)沒收修改成為108. 下列各項刑之種類中，何者屬於刑法上的從刑？(A)罰金(B)罰鍰(C)拘役(D)褫奪公權