問題詳情

20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs（閘極到源極之寄生電容）> Cgd（閘極到汲極之寄生電容）
(D) NMOSFET 源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低

參考答案

答案：D
難度：適中0.455882
統計：A(13),B(6),C(10),D(31),E(0)

用户評論

【用戶】u9952003

【年級】國一上

【評論內容】(c) 截止區 閘極電容Cgs=0 , Cgd=0     主動區 Cgs=Cgd

【用戶】邱俊瑋

【年級】幼稚園下

【評論內容】(D)怎麼改?基板電壓提高，臨界電壓也會提高嗎?

【用戶】瘀青貓

【年級】

【評論內容】回樓上 D選項就是基底效應 body effect :Vsb增加 Vp跟著增加