【評論主題】12. 已知附圖【四】為氫原子的部分原子能階圖，f 為頻率，則對應波長λ1、λ2、λ3 三者之間的大小關係為下列何者？ (A)λ1＞λ2＞λ3 (B)λ3＞λ2＞λ1(C)λ2＞λ3＞λ1 (D)λ1
【評論內容】
c(光速)=λ(波長)*f(頻率)
E(光能)=h(普朗克常數)*f(頻率)
1. 光速相同，波長與頻率成反比
2. 光能與頻率成正比
所以高能階差發射高頻光線，而高頻光線波長較短
故選A
【評論主題】11. 有一兩水平放置的平行金屬板，上端的板帶有正電，下板為負電。兩板間形成一均勻的電場，其強度為 104 牛頓∕庫侖，則電量為 庫侖的電子，在此電場中所受到之靜電力為多少？(A) 牛頓，向下 (B)
【評論內容】
Fe=qE
Fe=(-1.6*10-19) * 104=-1.6*10-15
選B
【評論主題】6. 封閉容器有某種單原子理想氣體，在體積不變的條件下，溫度從-53 ℃加熱至 167 ℃，則氣體分子的平均動能變為原來的幾倍？(A)1 (B) (C)2 (D)3
【評論內容】
考氣體動力論Ek=3/2kT，可知Ek ∝ T
故(-53+273)：(167+273)=220：440=1：2
選C
結論：
1. 溫度相同時，氣體具有相同的平均動能
2. 氣體平均動能與絕對溫度成正比
【評論主題】5.對於微孔材料的描述，何者有誤？(A) 一般其孔洞介於 2-50 nm(B) 其比表面積需在非常低壓之吸附量測(C) 活性碳為典型之微孔材料(D) 一般在IUPAC 等溫吸附曲線為第I類型
【評論內容】依IUPAC的定義，多孔洞材料的孔徑尺寸★★ ...
【評論主題】27.在RLC並聯電路，若R=10Ω， X L = 10Ω ， X C= 40Ω ， E =100V ，則cos θ為多少？(A) 0.5(B) 0.8(C) 0.707(D) 0.6
【評論內容】不太懂 角度323.1怎麼算的?
【評論主題】1.交流電壓 v(t)= v1(t)+ v2(t)，若 v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，v2(t)= 10 sin(377t–30°)V，則 v(t)為何？(A)v(t)=2.25
【評論內容】謝拉
【評論主題】1.交流電壓 v(t)= v1(t)+ v2(t)，若 v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，v2(t)= 10 sin(377t–30°)V，則 v(t)為何？(A)v(t)=2.25
【評論內容】
v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，轉成V1向量=10角度30度，為什麼不是10 角度30度? 是因為有效值要除根號2嗎?
【評論主題】35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β1 = β2 = 100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA，且第 2 級放大電路的輸入電阻 Ri2 = 20 kΩ，決定該串級放大電路的總
【評論內容】
謝謝你 這樣我懂了
【評論主題】8 有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為 A = 0.9，且 Cgs = 50 fF，Cgd = 10 fF，則其輸入電容（input capacitance）應
【評論內容】樓上的公式跟最佳解的算法不一樣欸
【評論主題】64如【圖64】所示為多範圍電流表，若電流表之滿刻度電流 1 mI mA = ，內阻 900 Rm = O ，欲使電流表分別量測5mA及10mA，則 R1及 R2 各為多少？(A) (B) (C)
【評論內容】求解~感謝
【評論主題】26 RC 串聯電路之電容器放電過程中，經過多少倍的時間常數，電容器電壓將變為初始電壓之 50%？(A) 1.0 (B) 0.693 (C) 0.632 (D) 0.368
【評論內容】
請問考試用的計算機要怎麼算出ln(0.5)?
【評論主題】5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。
【評論內容】
基板電壓效應：當基板(B)和源極(S)接不同電位時，即VSB時，臨界電壓會受到影響。
VSB增加，|Vth|增加
【評論主題】27 有一 50 V 之電壓源，串聯 2 Ω 電阻後，再連接至 3 Ω 電阻和 2 F 電容之並聯電路，當電路達穩定時電容器之電壓為何？(A)10 V (B) 20 V (C) 30 V (D)5 0
【評論內容】
因為穩態C開路
【評論主題】11 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓 vs為一交流弦波，大小為 110 Vrms，頻率為 60 Hz，R=25 Ω，則 io之均方根值（rms）為何？ (A)2.11 A (B)3.11 A
【評論內容】
整體Vrms=√{[(1102*1/2T)+(02*1/2T)]/T}=77.78V
【評論主題】3 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為 0.628 V/μs，當輸入電壓振幅為 5 V 之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？(A)1 kHz (B)2 kHz (C)10 k
【評論內容】
2πfVm<電壓轉換率SR , 才不會失真
f≦SR/2πVm=0.628*106/2π*5=20kHz
【評論主題】2 關於邏輯電路之敘述，下列何者正確？(A)靜態邏輯（Static Logic）電路切換過程無動態功率（Dynamic Power）消耗 (B)動態邏輯（Dynamic Logic）電路在穩態時有導通
【評論內容】
其他選項哪裡錯?
【評論主題】31 如圖所示，週期性電壓波形之波形因數為何？
【評論內容】
Vav=面積/週期=[三角形面積(2*1)/2] 除 [週期2毫秒]=1/2
Vm=1
三角波有效值：Vm/√3=1/√3
F.F. (波形因數) = 有效值/平均值=(1/√3)/(1/2)=2/√3
【評論主題】38 試求電流Io為何？ (A)5.06∠18.43° A(B)7.18∠20.31° A(C)2.43∠30° A(D)4.83∠28.45° A
【評論內容】
v=10.11 ㄴ45-26.56怎麼算?
【評論主題】9 有一小訊號等效電路如下圖所示，已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。 試求 Vg (s) / Vi(s) 在 f = 10 Hz的值，其中 s = jω =
【評論內容】
看不懂
【評論主題】5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電
【評論內容】
看完詳解還是不太懂
為什麼圖形的上方是代表P，下方代表N?
每個區間的工作狀態是怎麼判斷出來的?
為甚麼答案(D)不行?
【評論主題】3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大(B)變小(C)保持-90°不變(D)保持-180°不變
【評論內容】
還是不太懂~
我以為輸出前面有負號所以是-180
所以只需要看電容的相位就好了嗎?
【評論主題】38 試求電流Io為何？ (A)5.06∠18.43° A(B)7.18∠20.31° A(C)2.43∠30° A(D)4.83∠28.45° A
【評論內容】
v=10.11 ㄴ45-26.56怎麼算?
【評論主題】9 有一小訊號等效電路如下圖所示，已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。 試求 Vg (s) / Vi(s) 在 f = 10 Hz的值，其中 s = jω =
【評論內容】
看不懂
【評論主題】5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電
【評論內容】
看完詳解還是不太懂
為什麼圖形的上方是代表P，下方代表N?
每個區間的工作狀態是怎麼判斷出來的?
為甚麼答案(D)不行?
【評論主題】3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大(B)變小(C)保持-90°不變(D)保持-180°不變
【評論內容】
還是不太懂~
我以為輸出前面有負號所以是-180
所以只需要看電容的相位就好了嗎?
【評論主題】27.在RLC並聯電路，若R=10Ω， X L = 10Ω ， X C= 40Ω ， E =100V ，則cos θ為多少？(A) 0.5(B) 0.8(C) 0.707(D) 0.6
【評論內容】不太懂 角度323.1怎麼算的?
【評論主題】51.如【圖51]所示為無穩態多諧振盪電路，裝配後經過測試後，結果Q1及Q2 —直保持為 ON，而沒有振盪，則 故障會在何處？(A)R2開路(B)R3短路(C)C1開路(D)R4開路
【評論內容】求解~
【評論主題】1.交流電壓 v(t)= v1(t)+ v2(t)，若 v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，v2(t)= 10 sin(377t–30°)V，則 v(t)為何？(A)v(t)=2.25
【評論內容】謝拉
【評論主題】1.交流電壓 v(t)= v1(t)+ v2(t)，若 v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，v2(t)= 10 sin(377t–30°)V，則 v(t)為何？(A)v(t)=2.25
【評論內容】
v1(t)= 10 sin(377t +30°)V，轉成V1向量=10角度30度，為什麼不是10 角度30度? 是因為有效值要除根號2嗎?
【評論主題】8 有一共汲極放大器（common-drain amplifier），其增益為 A = 0.9，且 Cgs = 50 fF，Cgd = 10 fF，則其輸入電容（input capacitance）應
【評論內容】樓上的公式跟最佳解的算法不一樣欸
【評論主題】8.如【圖 8】所示之整流電路，輸入電壓 110 V/60 Hz，電阻兩端輸出漣波電壓有效值約為多少？ (A) 3.08 V(B) 3.85 V(C) 4.36 V(D) 5.44 V
【評論內容】
應該是V(rms)*2 −V (dc) *2
V(rms)^2 −V (dc) ^2 吧?
【評論主題】64如【圖64】所示為多範圍電流表，若電流表之滿刻度電流 1 mI mA = ，內阻 900 Rm = O ，欲使電流表分別量測5mA及10mA，則 R1及 R2 各為多少？(A) (B) (C)
【評論內容】求解~感謝
【評論主題】26 RC 串聯電路之電容器放電過程中，經過多少倍的時間常數，電容器電壓將變為初始電壓之 50%？(A) 1.0 (B) 0.693 (C) 0.632 (D) 0.368
【評論內容】
請問考試用的計算機要怎麼算出ln(0.5)?
【評論主題】5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。
【評論內容】
基板電壓效應：當基板(B)和源極(S)接不同電位時，即VSB時，臨界電壓會受到影響。
VSB增加，|Vth|增加
【評論主題】35 有一電路的轉移函數 ，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|T(s)|的變化關係，下列何者正確？(A)頻率每增大十倍，|T(s)|減少 10 dB (B)頻
【評論內容】詳解還是不太懂~
【評論主題】27 有一 50 V 之電壓源，串聯 2 Ω 電阻後，再連接至 3 Ω 電阻和 2 F 電容之並聯電路，當電路達穩定時電容器之電壓為何？(A)10 V (B) 20 V (C) 30 V (D)5 0
【評論內容】
因為穩態C開路
【評論主題】13 圖示整流電路，輸入 vI為弦波，若二極體 D 的導通角度變大，下列敘述何者為其可能原因？(A)vI的週期變大 (B)vI的峰值電壓變大 (C)電容值 C 變大 (D)電阻值 R 變大
【評論內容】
還是不太懂~
所以導通角度變小就是容易導通的意思嗎?
【評論主題】11 如圖所示之電路，二極體為理想。其電源電壓 vs為一交流弦波，大小為 110 Vrms，頻率為 60 Hz，R=25 Ω，則 io之均方根值（rms）為何？ (A)2.11 A (B)3.11 A
【評論內容】
整體Vrms=√{[(1102*1/2T)+(02*1/2T)]/T}=77.78V
【評論主題】6 關於 P-N 接面二極體崩潰電壓之敘述，下列何者錯誤？(A)逆向崩潰電壓較順向導通電壓為大(B)PN 區域雜質濃度越高，若發生稽納式崩潰（Zener breakdown）時，崩潰電壓越大(C)溫度
【評論內容】
(A)為甚麼是對的?
【評論主題】3 某單一增益運算放大器的電壓轉換率（Slew rate）為 0.628 V/μs，當輸入電壓振幅為 5 V 之正弦波時，其最大不失真的輸入頻率為何？(A)1 kHz (B)2 kHz (C)10 k
【評論內容】
2πfVm<電壓轉換率SR , 才不會失真
f≦SR/2πVm=0.628*106/2π*5=20kHz
【評論主題】11 圖為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic，ECL）電路。其中VⅠ為輸入，VO1、VO2為輸出，VCC為電壓源，VR為參考電壓，Ⅰ為偏置電流源（Bias Current Sou
【評論內容】
求解~
【評論主題】2 關於邏輯電路之敘述，下列何者正確？(A)靜態邏輯（Static Logic）電路切換過程無動態功率（Dynamic Power）消耗 (B)動態邏輯（Dynamic Logic）電路在穩態時有導通
【評論內容】
其他選項哪裡錯?
【評論主題】31 如圖所示，週期性電壓波形之波形因數為何？
【評論內容】
Vav=面積/週期=[三角形面積(2*1)/2] 除 [週期2毫秒]=1/2
Vm=1
三角波有效值：Vm/√3=1/√3
F.F. (波形因數) = 有效值/平均值=(1/√3)/(1/2)=2/√3
【評論主題】4.水電工於室內配線時，將原設計之線徑由2.0 mm降爲1.6 mm之單心導線’若長度與材料不變，則其線路的電 阻値應爲原來的幾倍？(A)0.8倍(B)0.64倍(C)1.25倍(D)1.5625倍
【評論內容】
為甚麼是1.25*1.25? 求解~ 感恩
【評論主題】33.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。當輸出端的電壓 VDS=2V 時，其汲極飽和電流 ID=1mA。則當 VDS增至 4V 時，其汲極飽和電流 ID
【評論內容】在飽和區ID與VDS無關
【評論主題】【題組】28.若其爾利電壓(Early Voltage)為 30V，當集極電流 IC=1mA，其輸出電阻 ro 值約為多大？(A) 10kΩ (B) 20kΩ (C) 30kΩ(D) ∞
【評論內容】
ro=Va/Ic=30/1m=30k
【評論主題】37.如【圖 37】所示，已知所有元件皆為理想特性，且 Vi為±10V 方波，則電路輸出 Vo範圍為何？(A) -10V ~ +10V (B)-8V ~ +10V (C) -8V ~ +2V(D)-1
【評論內容】有C的話是箝位器，將波形上下移動
【評論主題】19 一放大器低頻響應的轉移函數為 ，則此放大器低頻3 dB頻率近似於多少rad/s？ (A)0 (B)10 (C)25 (D)100
【評論內容】
因為是低頻響應，所以極點P要取大值
P1=100，P2=25
WL=P1=100 rad/s
【評論主題】35 分析如圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm=1 mA/V 且操作於飽和區，臨界電壓 Vth=1 V，VGS=1.2 V，求 RD=？ (A) 19 kΩ(B) 25 kΩ(C) 38 kΩ
【評論內容】
為何Vg約等於Vd?
【評論主題】20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs（閘極到
【評論內容】
(D)怎麼改?
基板電壓提高，臨界電壓也會提高嗎?
【評論主題】38 試求電流Io為何？ (A)5.06∠18.43° A(B)7.18∠20.31° A(C)2.43∠30° A(D)4.83∠28.45° A
【評論內容】
v=10.11 ㄴ45-26.56怎麼算?
【評論主題】【題組】29.承第 28 題，請問電壓增益 Vo/Vi為？(A) 60 (B) 100 (C) -60 (D) -100
【評論內容】
re=rπ /(1+β)=0.009836k
Vo/Vi=-(Rc/re)=-1/0.009836=-101.6
【評論主題】6 在室溫時，N 型或 P 型半導體的導電特性與溫度的關係是：(A)隨溫度升高，導電特性變好 (B)隨溫度升高，導電特性變差(C)導電特性不隨溫度變化而改變 (D)視其為 N 型或 P 型半導體而定
【評論內容】
為什麼我書上看到的是半導體超過室溫之後，隨溫度上升，導電性變好?
【評論主題】9 有一小訊號等效電路如下圖所示，已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。 試求 Vg (s) / Vi(s) 在 f = 10 Hz的值，其中 s = jω =
【評論內容】
看不懂
【評論主題】24 如圖所示，試求 RL等於何值時，8Ω 電阻的功率為最大值：(A) 5 歐姆(B) 6 歐姆(C)8 歐姆(D) 11 歐姆(E)一律送分
【評論內容】
我原本也是想6//(5+8)
但題目是要求8歐姆的功率，所以才(6//RL)+5吧
只是沒想到RL=11歐姆的時候，流過8歐姆的電流比較大
真的覺得這題好怪...
【評論主題】23 有一 10 μF 之電容器，其極板間之電荷為 10 庫侖，則此電容器儲存之能量為：(A)10×106焦耳(B)100×106焦耳(C)50×106焦耳(D)5×106焦耳
【評論內容】
由Q=CV,得到V=106
儲存的能量=1/2CV2=1/2*10*10-6*(106)2=5*106
【評論主題】24 具有圈數為 25 匝的螺線環，在通過 1.2 安培時，於某處量測得之磁場強度為 200 安培/公尺。若要將該處之磁場強度增加到 250 安培/公尺，則通過之電流應為多少安培？(A)1.5(B)1
【評論內容】
NI=HL ,L為磁路所走的平均路徑 ,H為磁場強度
25*1.2=200L ,
L=0.15
當H為250時
25*I=250*0.15
I=1.5A
【評論主題】39 如圖振盪電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 10 kΩ、Rf = 20.3 kΩ、R2 =3 kΩ、R3=1 kΩ、R4 =
【評論內容】求解
【評論主題】38 有一電路的轉移函數 ，則下列何者正確？(A) 半功率頻率為 100 rad / sec (B)增益為 100 dB 的頻率為 1 rad / sec (C)直流增益為 40 dB (D)高頻增益
【評論內容】
還是不太懂~
有人知道其他選項怎麼改嗎?
【評論主題】37 分析下圖之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V，忽略元件之輸出阻抗 rO，試求 VO / Vi？ (A)5(B)10(C)-5(D)-10
【評論內容】
Vi=(Vgs1)-(Vsg2)...."2" 應該改成減的
【評論主題】5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電
【評論內容】
看完詳解還是不太懂
為什麼圖形的上方是代表P，下方代表N?
每個區間的工作狀態是怎麼判斷出來的?
為甚麼答案(D)不行?
【評論主題】3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大(B)變小(C)保持-90°不變(D)保持-180°不變
【評論內容】
還是不太懂~
我以為輸出前面有負號所以是-180
所以只需要看電容的相位就好了嗎?