資訊推薦

• 2. 某一N通道空乏型MOSFET的 為多少？(A) −2.5V (B) −1.5V (C) 1.5V (D) 2.5V
• 30. 如圖(十)所示電路，其電流I為何？ (A) 3A  (B) 2A(C) 1A(D) 4A
• 6. 若矩陣是矩陣的反矩陣，則a+ b  = 2 ？(A) - 6(B) - 2(C) 8 (D) 12
• 15. 在組合造形的繁殖發展中，何者對於「面狀繁殖」表現不正確？(A) (B) (C) (D)
• 6. 函數 最大值為何？(A) 1 (B) 3 (C) 5 (D) 7
• 3. 下列何者適用於阻抗匹配？(A) CS 放大器 (B) CD 放大器 (C) CG 放大器 (D) CB 放大器
• 4. 圖(一)所示為電晶體偏壓電路的直流負載線，電晶體作為放大電路設計時，若要求輸出信號的失真最小，則工作點應設計在直流負載線上之何點？ (A) A(B) B(C) C(D) D
• 35. 某樣品在施加電位差1V時承載4A的電流，在電位差為4V時承載的電流為20A。該樣品：(A) 在1V時具有0.25Ω 的電阻值 (B) 在1V時具有4Ω 的電阻值(C) 在4V時具有0.4Ω 的
• 36. 孤立的點電荷在距離1m的點處產生大小為E 的電場。場強為E/4的點是：(A) 離電荷0.5m處 (B) 離電荷2m處(C) 離電荷4m處 (D) 離電荷8m處
• 23. 下列聚合物何者可做導電塑膠？(A) 聚乙炔 (B) 聚氯乙烯(C) 聚- 2 -氯- 1,3 -丁二烯 (D) 電木
• 24. 有關半導體的敘述，下列何者正確？(A) 純矽半導體導電能力大於p型半導體(B) 在純矽半導體內摻入第6族元素時形成n型半導體(C) 在矽中加入少量的鎵元素會使電洞增多(D) 在矽中加入少量的碳
• 25. 有關液晶顯示器(LCD)與發光二極體(LED)的敘述何者正確？(A) 液晶分子通電時可發出紅、藍、綠三原色而作為螢幕(B) 液晶顯示器畫面的色彩是由液晶的排列方向決定(C) 發光二極體為一種半
• 26. 同一週期的元素，原子序愈大的其原子半徑愈小，其原因為何？(A) 電子數漸增 (B) 價電子數漸增 (C) 原子量漸增 (D) 質子數漸增
• 37. 如圖(三)所示，一根導電桿平躺在一導電軌道上(摩擦力可忽略)並以速度v 向左移動。假設有一均勻磁場 B 中持續存在並與軌道面垂直，為了使迴路的電動勢為零，磁場的大小應： (A) 隨時間的二次方
• 27. 利用的反應在完成電子得失平衡後可表示如下 ( 未平衡 ) ：  ，現若欲平衡前述方程式的電荷，則下列方法何者正確？(A) 於方程式右側加4個H⁺(B) 於方程式左側加4個 e⁻(C) 於方程式
• 31. 一RLC串聯電路如圖(十一)所示，R=3Ω，XL=j8Ω，XC=–j4Ω，則從輸入端看入電導G為何？ (A) 4 / 25ʊ (B) 6 / 25ʊ(C) 3 / 25ʊ(D) 11 / 25
• 7. 求極限=?(A) 4 (B) 2 (C) 0 (D) -2
• 5. 關於二極體之敘述，下列何者正確？(A) 二極體的英文為Transistor(B) 電流只能從陰極流向陽極(C) 為非線性元件(D) 溫度每上升攝氏1度，切入電壓約上升1mV到2.5mV
• 6. MOSFET電路加入正常工作偏壓VDD，若VGS -ID特性如圖(二)所示，VT為臨界電壓(threshold voltage )，則MOSFET的型式，下列敘述何者正確？ (A) P通道空乏型
• 12. 下列何者可能是胺基酸的分子？(A) (B) (C) (D)
• 32. 如圖(十二)所示，若R1 =13.9 kΩ， = 0.7 V，則I D電流為何？ (A) 0.1mA  (B) 0.5mA(C) 1.0mA(D) 1.5mA
• 38. 一個半徑2R的均勻金屬盤位於x - y平面的原點處，如圖(四)所示。今在x=–R處挖空了一個半徑R的圓，求出此時金屬盤的質量中心位於何處？ (A) (x , y)=(R/4,0 )(B) (x
• 7. 共閘極放大器的特性為下列何者？(A) 高輸入阻抗，低輸出阻抗 (B) 高輸入阻抗，高輸出阻抗(C) 低輸入阻抗，高輸出阻抗 (D) 低輸入阻抗，低輸出阻抗
• 7. 若y (x)滿足微分方程式，且y ( 0 ) 1=，則y  ( x) =？(A)(B)   (C)(D)
• 【題組】十一、 Solve for y(x) the first order differential equationxy'(x) - 4x2y(x) + 2y(x)ln(y(x)) =