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27. 下列何者並非通用設計(Universal Design )的一般性原則?(A) 公平使用(Equitable Use )(B) 簡易及直覺使用(Simple and intuitive )(C
問題詳情
27. 下列何者並非通用設計(Universal Design )的一般性原則?
(A) 公平使用(Equitable Use )
(B) 簡易及直覺使用(Simple and intuitive )
(C) 容許錯誤(Tolerance for Error)
(D) 經濟實惠(Affordable )
參考答案
答案:D
難度:
計算中
-1
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50. 到川菜館用餐,下列哪一道菜餚不會出現在菜單上?(A) 咕咾肉 (B) 樟茶鴨 (C) 魚香茄子 (D) 乾煸四季豆
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29. 如圖(九)所示,此電流(I)和電流源( 15A)所供應的功率為何? (A) 1.67A,450W(B) 3.34A,900W(C) 0.835A,225W(D) 0.418A,112.5W
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6. 若矩陣是矩陣的反矩陣,則a+ b = 2 ?(A) - 6(B) - 2(C) 8 (D) 12
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6. 函數 最大值為何?(A) 1 (B) 3 (C) 5 (D) 7
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4. 圖(一)所示為電晶體偏壓電路的直流負載線,電晶體作為放大電路設計時,若要求輸出信號的失真最小,則工作點應設計在直流負載線上之何點? (A) A(B) B(C) C(D) D
35. 某樣品在施加電位差1V時承載4A的電流,在電位差為4V時承載的電流為20A。該樣品:(A) 在1V時具有0.25Ω 的電阻值 (B) 在1V時具有4Ω 的電阻值(C) 在4V時具有0.4Ω 的
36. 孤立的點電荷在距離1m的點處產生大小為E 的電場。場強為E/4的點是:(A) 離電荷0.5m處 (B) 離電荷2m處(C) 離電荷4m處 (D) 離電荷8m處
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24. 有關半導體的敘述,下列何者正確?(A) 純矽半導體導電能力大於p型半導體(B) 在純矽半導體內摻入第6族元素時形成n型半導體(C) 在矽中加入少量的鎵元素會使電洞增多(D) 在矽中加入少量的碳
25. 有關液晶顯示器(LCD)與發光二極體(LED)的敘述何者正確?(A) 液晶分子通電時可發出紅、藍、綠三原色而作為螢幕(B) 液晶顯示器畫面的色彩是由液晶的排列方向決定(C) 發光二極體為一種半
26. 同一週期的元素,原子序愈大的其原子半徑愈小,其原因為何?(A) 電子數漸增 (B) 價電子數漸增 (C) 原子量漸增 (D) 質子數漸增
37. 如圖(三)所示,一根導電桿平躺在一導電軌道上(摩擦力可忽略)並以速度v 向左移動。假設有一均勻磁場 B 中持續存在並與軌道面垂直,為了使迴路的電動勢為零,磁場的大小應: (A) 隨時間的二次方
27. 利用的反應在完成電子得失平衡後可表示如下 ( 未平衡 ) : ,現若欲平衡前述方程式的電荷,則下列方法何者正確?(A) 於方程式右側加4個H⁺(B) 於方程式左側加4個 e⁻(C) 於方程式
31. 一RLC串聯電路如圖(十一)所示,R=3Ω,XL=j8Ω,XC=–j4Ω,則從輸入端看入電導G為何? (A) 4 / 25ʊ (B) 6 / 25ʊ(C) 3 / 25ʊ(D) 11 / 25
7. 求極限=?(A) 4 (B) 2 (C) 0 (D) -2
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6. MOSFET電路加入正常工作偏壓VDD,若VGS -ID特性如圖(二)所示,VT為臨界電壓(threshold voltage ),則MOSFET的型式,下列敘述何者正確? (A) P通道空乏型
12. 下列何者可能是胺基酸的分子?(A) (B) (C) (D)
32. 如圖(十二)所示,若R1 =13.9 kΩ, = 0.7 V,則I D電流為何? (A) 0.1mA (B) 0.5mA(C) 1.0mA(D) 1.5mA
38. 一個半徑2R的均勻金屬盤位於x - y平面的原點處,如圖(四)所示。今在x=–R處挖空了一個半徑R的圓,求出此時金屬盤的質量中心位於何處? (A) (x , y)=(R/4,0 )(B) (x
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