問題詳情

2. 有一矽半導體在溫度 T = 300 oK 下，本質載子濃度 ni為 5 × 1012cm-3，若掺雜五價的雜質，且雜質濃度為 1016cm-3 ，此時電洞濃度為 p，電子濃度為 n，則 p+n 約為：
(A) 1016cm-3
(B) 108cm-3
(C) 5 × 1012cm-3
(D) 5 × 104cm-3

參考答案

答案：A
難度：困難0.388889
統計：A(7),B(2),C(5),D(2),E(0)