問題詳情

24 下列對於動態隨機存取記憶體（Dynamic RAM, DRAM）與靜態隨機存取記憶體（Static RAM, SRAM）的敘述何者正確？
(A)靜態隨機存取記憶體是以正反器（flip-flop gate）的方式設計儲存單元
(B)動態隨機存取記憶體的存取速度比靜態隨機存取記憶體快
(C)靜態隨機存取記憶體需週期性的更新內容以保存其儲存的資料
(D)在相同的晶片面積下，動態隨機存取記憶體容量小於靜態隨機存取記憶體

參考答案

答案：A
難度：適中0.458101
統計：A(82),B(53),C(24),D(20),E(0)

用户評論

【Jing Chen】評論

SRAM採用正反器（flip-flop）構造儲存，DRAM則是採用電容儲存。因為SRAM和DRAM種種的特性不同，SRAM適合做為暫存器和CPU快取使用，DRAM則是適合做為主記憶體或是其他裝置間的快取使用。SRAM 和DRAM，兩者的基礎原理差不多，都是將電荷儲存至內部，藉由改變不同的電荷儲存0 或是1。SRAM（Static Random Access Memory）靜態隨機存取記憶體和DRAM（Dynamic Random Access Memory）有著幾點不同。SRAM 的結構較複雜、單位面積的容量較少、存取速度快，DRAM 則是構造簡單、單位面積內的容量較多、存取時間較SRAM 慢，同時DRAM 也因為構造較簡單的關係，儲存的電荷會隨著時間漸漸消失，因此需要有個再充電（Refresh）的動作保持電容儲存的資料。