問題詳情

8 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制?

(A)射極對基底
(B)汲極對基底
(C)閘極對源極
(D)源極對基底

參考答案

答案:C
難度:計算中-1
書單:沒有書單,新增