問題詳情

26. 在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？
(A)P、N兩側空乏區的寬度，與其所摻雜的雜質濃度成正比
(B)矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低
(C)所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位低
(D)空乏區會抑制擴散電流

參考答案

答案：D
難度：適中0.56
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