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• 【題組】(20)
• 14.設X為隨機變數，機率函數為 ，則y=？ (A) 1/6(B) 1/9(C) 1/12(D) 1/15
• 【題組】⑵以熱氧化法成長的二氧化矽（SiO2）薄膜，起初成長的二氧化矽薄膜厚度與時間成線性關係，隨著時間增長，二氧化矽薄膜厚度與時間的開根號成正比。請說明這兩者的物理機制，這兩種機制分界處的二氧化矽薄
• 四、考慮下列的 BNF 法則：【題組】⑴假設 C1 和 C2 是由 〈condition〉 展開的程式碼，S1 和 S2 是由 〈statement〉 展開的程式碼，畫出 〈conditional s
• 【題組】(21)
• ※左下圖為獨立國協濕地河川分布示意圖。請問下列各題：【題組】7. 濕地形成和下列何者關係最「小」？　(A)河川流向　(B)地勢低平　(C)永凍層分布廣泛　(D)地質結構以地臺為主。
• 【題組】⑶請比較使用銅優於鋁作為導線製程技術的原因，至少列出三項。（10 分）
• 【題組】⑵ CD 切斷後之瞬間。 （10 分）
• 【題組】(22)
• 【題組】(13)
• 【題組】⑷請列出乾式蝕刻優於濕式蝕刻的優點，至少列出四項。（10 分）
• 【題組】(23)
• 【題組】(14)
• 【題組】⑵請寫出 pn 二極體中的接面定律（Law of the Junction）方程式，並說明其物理意義。（10 分）
• 10.下列有關t分配敘述，何者不正確？(A)期望值為0(B)偏態係數為0 (C)峰態係數為3(D)t分配較常態分配曲線平坦，即t分配曲線的高度較低。
• 【題組】(24)
• 【題組】(15)
• 二、【題組】⑴關於 npn 雙極性電晶體，若基極（Base）區使用漸進式（Graded）濃度的結構，請說明它可以提供的優點。（10 分）
• 6 設矩陣 ，則A3-2A2-A 為何？(A) 0 (B) 2A (C)3A (D)− 3A
• 【題組】(25)
• 【題組】(16)
• 【題組】⑵高電子遷移率電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）為常用於高頻通訊的元件之一，因為這種元件具有可以在低溫時降低雜質散射（Impurity S
• ⑵某渦輪扇發動機（turbofan engine）在海平面靜力試驗之推力為 10,000 N，燃料流量率為 6,000 kg/hr，若核心空氣（core flow）流率為 100 kg/s，旁通比（b
• 11•有四组數字 Gl=(5,5，5,5,5)、G2=(7，6,5,6，7)、G3=(9，7，5，7，9)、G4=(3,4,5，4,3)，哪一組資料的標 準差最大？(A) G1(B) G2(C) G3
• 【題組】(26)