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16. 設 F(s) = ，求f(t) 為下列何者？(A) 1 − cos t (B) t − (C)et(D)e4t − 1
問題詳情
16. 設 F(s) =
，求f(t) 為下列何者？
(A) 1 − cos t
(B) t −
(C)et
(D)e4t − 1
參考答案
答案：D
難度：
簡單
0.7
書單：
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15. 於 L-C 串聯電路中，若 L = 2.653 H，且與 C 串聯接於 60 Hz 之電源，今欲改變電容量使達到共振，請問電容器 C 之值應調整為下列何者？(A) 1.625μF (B) 2.
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17. 右圖所示週期為 2a 之方形波，求其拉氏轉換式為下列何者？ (A)(B) (C)(D)
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19. 有一10 安培之電流，流經 100 匝之圓線圈，其半徑為50公分，且線圈之厚度要遠小於半徑，請問圓心處之磁場強度為何？(A)250 安匝/公尺 (B)500 安匝/公尺 (C)750 安匝/公
21. 三相 Y 型平衡電路，若每相阻抗為(6 + j8) Ω，線電壓El= 220V，試求相位角 θ 為多少？(A) 26.6 度 (B) 37.1 度 (C) 53.1 度 (D) 63.4 度
22. 某交流電路 e= 100sin(314t − 30°)，i = 50 sin(314t + 30°)，其最大瞬時功率 Pmax為何？(A) 7500 W (B) 4500 W (C) 3750
23.i1 = 10sinωt， i2= 10cosωt，則(i1 +i2 )比i1 引前多少度？(A)30 度 (B)45 度 (C)60 度 (D)90 度
24. 有一內阻為 1 Ω 的安培表，欲將其測量範圍擴大100倍，須加多大電阻值之分流器？(A) 0.11 Ω (B) 0.02 Ω (C) 0.01 Ω (D) 0.001 Ω
26. 有關功率放大器輸出級分成 A 類、 B 類、AB 類與 C 類的敘述，下列何者有誤？(A) A 類放大器的工作操作點定於負載線中點(B) B 類放大器的工作操作點定於飽和區(C) AB 類放大
27. 若電晶體輸出電流 ICQ = 0.99 mA，α = 0.99 及 VT = 25 mV ，求電晶體交流等效電阻 re為何？(A) 50 Ω (B) 25 Ω (C) 30 Ω (D) 15
28. 有一雙極性接面電晶體 BJT ，其 β = 100，已知在室溫下熱電壓 VT = 25 mV，若 IC = 1 mA，則該 BJT 之轉導 gm值為何？(A) 4 mA/V (B) 40 mA
29. 有關場效電晶體 FET 放大器的敘述，下列何者有誤？(A)共源極放大器的輸入與輸出電壓反相 (B)共源極放大器的輸入阻抗值很高(C)共汲極放大器的電壓增益值小於 1 (D)共閘極放大器的輸入阻
31. 設有一電路的轉移函數 T(S) = ，求下列敘述何者正確？(A)半功率頻率為100 rad/sec (B)增益為100dB的頻率為1rad/sec(C)直流增益為40 dB(D)高頻增益為10
32. 在雙極性接面電晶體 BJT 共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC進入基極，該電容CC之主要功能為何？(A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流
33. 有關雙極性接面電晶體 BJT 與場效電晶體 FET 的一般特性比較，下列何者有誤？(A)輸出電阻 ro：BJT 較 FET 小 (B) 轉導 gm：BJT 較 FET 大(C)本質增益 Ao：
34. 非反向運算放大器電路具有增益 40 dB ，其 3 dB 頻率為 25 kHz ，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要 50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？(A) 10 V
36. 已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10 ℃ 約成為原來之兩倍，在溫度 25 ℃ 時的逆向飽和電流為 3 nA ，當逆向飽和電流增加到 24 nA ，溫度約升到幾度？(A) 35 ℃ (B)
37. 有關共射極放大器的特性敘述，下列何者正確？(A)電流增益為 α ，輸出與輸入電壓相位差 180∘(B)電流增益為 α ，輸出與輸入電壓相位差 0∘(C)電流增益為 β ，輸出與輸入電壓相位差
38. 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 µV ，另一端輸入 Vi2 = 50 µV ，且此放大器之差模增益 Ad為 100，而共模拒斥比CMRR為 10，請問此輸出電壓為何？(A)2.
39. 有一接合面場效應電晶體 JFET 的汲極飽和電流 IDSS = 16 mA，夾止電壓 VGS(off) = -4 V，請問此 JFET 為何種通道？另，當 VGS = -3 V 時的汲極電流
40. 有關振盪器的敘述，下列何者有誤？(A)低頻振盪器一般採用 RC 電路 (B)射頻振盪器一般採用 LC 電路(C)石英振盪器是利用晶體本身之壓電效應 (D)一般 RC 相移振盪器所產生的輸出波形
41. 假設右圖之二極體為一理想元件，試求二極體電流 ID之值約為何？ (A) 0.83 mA(B) 1.0 mA(C) 1.87 mA(D) 2.5 mA
42. 如右圖所示之電晶體偏壓電路，已知 C1 = 20 µF，C2 = 20µF，C3 = 60 µF，R1 = 20 kΩ，R2 = 5 kΩ，R3 = 5 kΩ，R4 =1 kΩ，β = 100
43. 一電晶體電路如右圖所示，假設各電晶體的 β = 50，VBE = 0.7 V，C1，C2，C3，C4有很大的電容值，請問此電路的電壓增益 為何？ (A) -11(B) -21(C) -32(D
44. 右圖所示為一差動放大器，假設 Q1與 Q2為完全匹配的電晶體且均工作在作用區，請問下列何者有誤？ (A)當 REE的值變大時，CMRR 值增大(B)當 IEE的值變大時，差模增益值 |ADM
45. 右圖的電路包含 5 個完全相同的電晶體，各電晶體的臨限電壓Vt = 1 V，假設可忽略基體效應與通道長度調變效應，試求輸出電壓 Vo為何？ (A) 1 V(B) 2 V(C) 3 V(D) 4
46. 如右圖所示之理想運算放大器電路 Vin1 = 1 V，Vin2 = 0.5 V，Vin3 = 2 V，R1 = 4 kΩ，R2 = 5 kΩ，R3 = 10 kΩ，Rf = 20kΩ，試求總輸
47. 右圖為全波濾波器，若輸入Vi=10sinωt，試求直流電壓值(Vo之 dc值)為何？ (A) 6.36 V(B) 10 V(C) 13.2 V(D) 15 V