二、【題組】⑴對於 PECVD 製程中,使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD(Inter-layer Dielectric)TEOS 製程溫度在 400℃左右或更
【題組】 ⑵對於一矽晶片,於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm的多晶矽,而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 1.5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖案化蝕刻以暴露出下方之二
四、【題組】⑴對波長為 193 nm 的準分子雷射光學系統而言,若其具有數值孔徑 NA = 0.65,製程相依因子 k1 = 0.6 及 k2 = 0.5,以此光學系統作為曝光機台的理論解析度及聚焦深
【題組】二、某日 17 時於捷運地下車站月台層(地下 2 樓)機房發生火災,轄區分隊接獲派遣出動水箱車 2 輛及救護車 1 輛,抵達現場進入地下 1 樓發現已有些許煙擴散,如果你奉指揮官指示,立即進入