問題詳情

二、
【題組】⑴對於 PECVD 製程中，使用 TEOS 可以達到最大沉積速率的溫度大約為 250℃。為什麼 ILD（Inter-layer Dielectric）TEOS 製程溫度在 400℃左右或更高的溫度下操作？（5 分）

參考答案

答案：A
難度：簡單0.834783
統計：A(192),B(13),C(1),D(16),E(0)

用户評論

【用戶】Clara Chang

【年級】國一上

【評論內容】等同於委託行使公權力