問題詳情
【題組】⑶對於 PECVD 製程中，以矽烷作為沉積氧化矽之氣體源，當增加矽烷流量時，氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少？原因為何？但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源，為什麼當 TEOS 流量增加時，折射率幾乎沒有變化？（10 分）
參考答案
答案：B
難度：適中0.564702
統計：A(91),B(1811),C(113),D(751),E(0) #
個人：尚未作答書單：ch0-林清《行政法》標題目錄(2013)
用户評論
【用戶】王品客
【年級】小二下
【評論內容】德國行政學者Ernst Forsthoff：「行政無法加以定義，僅能描述。」
【用戶】哭雲
【年級】高二下
【評論內容】我覺得D只是在幫ABC備位，只有當你確定ABC都對時，才會去選D因為題目是「不正確」，而哲學的東西，沒有一定不正確的。
【用戶】阿斯拉
【年級】大二下
【評論內容】希望出題者可以搞清楚我們現在是考選擇而不是申論，確定答案才是最重要的模擬兩可的答案都是不及格的題目