問題詳情

【題組】⑵在高密度電漿 CVD(HDP CVD)氧化物製程中,為什麼用矽烷而不用 TEOS 作為矽來源氣體?(5 分)

參考答案

答案:A
難度:非常簡單0.926606
統計:A(808),B(6),C(24),D(6),E(0)