二、如圖二所示為兩個相等的 NMOSFET Q1 與 Q2 所組成的放大器電路。該 NMOSFET電晶體的啟始電壓(threshold voltage)為 1 V,Kn = 0.5 μnCox(W/L
四、BJT 放大器電路如圖四所示,其中 BJT 放大器相關參數為:βf = 100,Rs = 700 Ω,rπ = 1 kΩ,R1 = 10 kΩ,R2 = 5 kΩ,RE = 5 kΩ,RL = 1
五、如圖五所示為一主動式負載 MOS 差動放大器,其電晶體各相關參數說明如下:μnCox = 0.1 mA/V2,μpCox = 0.05 mA/V2,電晶體通道寬長比(W/L)n = 400,(W/
一、如圖一所示,假設 D1 , D2 , D3 為特性完全相同之二極體,其等效電路皆相同,其順向導通之等效電阻為 r,逆向等效電阻無限大,而切入電壓(cut-in voltage)為VD 0 ,二極體
三、如圖二所示,假設 R1 = 200 k Ω , R2 = R3 = R4 = 3 k Ω , R5 = R6 = 5 k Ω , VBB = 4 V ,VCC = 12 V , β = 120 ,
一、請撰寫一份申請專利範圍,記載應符合專利法及其施行細則有關申請專利範圍撰寫的規定,並滿足下列要求:(請依據提案單內容撰寫,不要補充您可能具有的有關發明主題之技術內容。)【題組】⑴申請專利範圍應包括獨
【題組】 ⑵寫出申請專利範圍第 1 項具有進步性的理由。(15 分)附件 1提 案 單本發明之目的、特點及功效:本提案之發明係為一種氣體感測器,目的在於增加偵測不同氣體並增強感測器的靈敏度與環境的安全