10 若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 Vt，其參數電流 IDSS 是電晶體：(A)工作在三極管區（Triode）且電壓 VGS＝0V 之電流(B)工作在三極管區（Triode）且電壓 V
12 有一放大器電路如圖所示，放大器 U1 為理想的運算放大器，二極體 D1 順向壓降 VD0＝0.7 V。若 R1＝1kΩ，輸入電壓 VI＝5V，試問輸出電壓 Vo 應落在下列何範圍內？ (A) 5
16 若輸入信號 vi 如圖所示，二極體之導通電壓為0 V，導通電阻為0 Ω，電容C1兩端之初始電壓差為 0 V，關於輸出信號 vo的敘述，下列何者錯誤？ (A) vi 與 vo 的週期相同(B) v
17 如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為 0.7 V，而此電路之輸出電壓 vout之峰值為 12 V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？ (A) 8.5 V(B) 9
18 如圖所示之電路，假設二極體 D 之壓降為 0.8 V，其 IR1與 Iin之關係亦如圖所示，圖中 I1之表示式為何？ (A) 0.8/R1(B) 1.2/R1(C) 2/R1(D) 2.8/R1
19 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？(A)電路中 2 個二極體會同時導通或反偏 (B)轉換效率較半波整流電路佳(C)同時利用輸入正弦電壓的正負週期 (D)輸出－輸入電壓特性的斜率
21 分析如圖之電路，若稽納（Zener）二極體 ZD1、 ZD2 之崩潰電壓為 6 V，導通電壓為 0.7 V，且導通電阻值為 0 Ω。vI=10sinωt (V)，則電阻上流過之最大電流為何？ (
22 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知 V=15 V、R1=40 kΩ、Rf=60 kΩ、R2=9 kΩ、R3=3 kΩ、R4
23 如圖所示之電路，已知 VT = 26 mV，其中電晶體之參數為：β=150，VBE(on) = 0.7V ，且爾利（Early）電壓 VA 為∞ ，求此電路之小信號電壓增益值約為何？(A) 0.
25 下列有關操作於主動區的 BJT 小訊號等效模型敘述，何者錯誤？(A)基極-射極接面電容 Cπ小於基極-集極接面電容 Cμ(B)轉導（gm）正比於集極電流(C)輸出電阻正比於爾利電壓（VA）(D)
28 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為 4 V ，電晶體 β 值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則RB 必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6 V？(A
30 圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 1 mA/V2，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 VD 最小值應為多少？ (A) 4 V(B) 3 V(C) 2