39 如圖所示之非穩態電路，輸出 vo的飽和電壓在 ± 10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（thresho
39 如圖所示之非穩態電路，輸出 vo的飽和電壓在 ± 10 V，其 R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ 且 C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（thresho
1 某增強型 PMOS 場效電晶體，Vt=-1 V，μpCox(W/L)=100 μA/V2，若其閘極（Gate）接地，源極（Source）接+5 V，汲極（Drain）電壓為 3 V，則此電晶體工作
3 下列有關積體電路的設計原則，何者錯誤？(A)避免使用耦合電容，因為電容占較大的面積 (B)以電流源來替代電阻可以降低使用面積(C)控制個別電阻的阻值較控制電阻間阻值比容易 (D)隨著電晶體尺寸的縮
6 雙極性電晶體（BJT）若工作在主動作用區時：(A)基極－射極接面、基極－集極接面都順偏 (B)基極－射極接面順偏、基極－集極接面逆偏(C)基極－射極接面逆偏、基極－集極接面順偏 (D)基極－射極接
9 一個 NMOS 電晶體，其臨界電壓 Vt=0.5 V。當輸入端電壓 VGS=1.5 V 時之汲極飽和電流 ID =1 mA，則當汲極飽和電流 ID增為 4 mA 時，其 VGS值為多大？(A)1.
13 如圖所示之電路，當 VIN為 5 V 時，VOUT為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為 0.8 V。(A)4.2 V (B) 5. 8 V (C)-2.3 V (D)-
14 如圖所示之橋式整流電路，已知 VS=40 sinωt V，若所有二極體皆為理想二極體，則一個二極體之峰值逆向電壓（PIV）為何？(A)10 V 2 (B) 0 V 4 (C) 0 V 8 (D)
16 下圖中輸入信號為弦波 vs(t)=5 sin 10t V，各二極體 D1 -D4之導通電壓皆為 0.7 V，導通電阻為 10 Ω。若 R=10 Ω，則電流|i |之最大值為何？(A)212 mA
17 下圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 10 Ω，輸入信號為弦波，vi(t)=5 sin 10t V，R1 與R2 皆為 5 Ω，則 vo(t)的最小值為何？(A)-5 V (
18 圖中電路之輸入信號 vi為弦波，vi(t)=5 sin 10t V，二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 100 Ω。則流過電阻上的電流最大值為何？(A)93 mA (B)50 m