25 若雙極性電晶體（BJT）的 βIB=IC時，則電晶體操作在：(A)逆向崩潰區（reverse breakdown region） (B)截止區（cut-off region）(C)主動區（act
27 圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)=0.5 mA/V2，臨界電壓 VT=0.8 V，若忽略通道調變效應且 M1 維持操作在飽和區（saturation region），則 VB的最大值為
29 圖中信號源阻抗 RS=1 kΩ，轉導放大器輸入阻抗 Ri=1 kΩ，轉導增益 Gms=1 mA/V，輸出阻抗Ro=10 kΩ，負載阻抗 RL=10 kΩ，則 vo/vs=？(A)5(V/V) (
31 如圖所示具有反交聯電容器 C1的增強型 MOSFET 放大器中 μnCox(W/L)=4 mA/V2，流經 3 kΩ 的直流偏壓電流為 2 mA，輸入交流弦波信號 vi的振幅為 0.2 V ，輸
33 圖示為變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路中部分電路，如果想要得到最大功率轉移，則圖式電路中電晶體的集極偏壓電流 IC應約為多少？其中 R1=50 Ω、β=100、熱電壓 VT = 25 mV
34 如圖所示由理想 OPA（電源電壓為±15 V）所構成之施密特觸發電路，該電路於 R2=2 kΩ 時之輸入輸出轉移特性具有一磁滯電壓為20 伏特，則 R1 的電阻值約為多少？(A)1 kΩ (B)
36 如圖所示為兩個理想 OPA 構成的三角波產生電路，該兩 OPA 所施加的直流電源電壓值相同，測得vO1及 vO2輸出波形的峰到峰值分別為 20 及 16 伏特，則 R1 的電阻值應約為何？ (A
39 如圖電路為具有電阻 rb=500 Ω 的混合 π 等效電路。如果電晶體偏壓在集極電流 ICQ=2 mA 時，其相關參數為 β=100、C1=2 nF，且熱電壓 VT=0.026 V。則此電路之-
40 下列為一被動式濾波器（Passive filter），已知 L=4.24 μH、C=1.6 μF、R=10 kΩ。試求此電路的共振頻率約為多少？(A)150 kHz (B)100 kHz (C)
1 一幾何比 W/L 固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓 VOV（Overdrive Voltage）變為原來的 2 倍，則轉導 gm（Transconductance）將變為原來的：
2 對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？(A)源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小(B)源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降(C)變化源
3 將一個 n-通道增強型 MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體 μnCox = 20 μA/V2，W/L =10, Vt =0.5 V。若使汲極電流為 100 μA，問電晶體的過驅電壓（over
4 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為 Io， 已知溫度每變化 1°C，飽和電流變化約 7%，試問溫度增加 10°C，飽和電流如何變化？(A)飽和電流約