26 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β = 120，VT = 26 mV，VBE(on) = 0.7 V 且爾利（Early）電壓VA = ∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A) 37 (
27 如圖所示之電路，假定 β = 100 且 VBE(on) = 0.7 V，若電晶體之直流工作點 VCEQ = 5 V 且 ICQ= 10 mA，求 RB之值為何？ (A) 34 kΩ (B) 6
27 如圖所示之電路，假定 β = 100 且 VBE(on) = 0.7 V，若電晶體之直流工作點 VCEQ = 5 V 且 ICQ= 10 mA，求 RB之值為何？(A) 34 kΩ (B) 68
28 如圖所示之共射極放大器，IC = 1 mA 且 VBE = 0.8 V。假設電晶體於飽和時之 VCE(sat) = 0.3 V，請問在保持放大器的正常操作下，RL最大的可允許值為何？ (A) 2
28 如圖所示之共射極放大器，IC = 1 mA 且 VBE = 0.8 V。假設電晶體於飽和時之 VCE(sat) = 0.3 V，請問在保持放大器的正常操作下，RL最大的可允許值為何？(A) 2.
30 如圖所示為一 MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？ (A)與共源極放大器相比有較高的輸出阻抗 (B)與共源極放大器相比有較小的電壓增益(C)與共源極放大器相比有
30 如圖所示為一 MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？(A)與共源極放大器相比有較高的輸出阻抗 (B)與共源極放大器相比有較小的電壓增益(C)與共源極放大器相比有較
31 若 PNP 型雙極性電晶體（BJT）之 IB = 0.1 mA，IE = 6 mA，且 β = 99，則：(A)工作在主動區，VCB = -0.8 V (B)工作在主動區，VCB = 0.8 V
33 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入-輸出轉移特性曲線，其中 OPA 為理想，若 R2為 3 kΩ，則 R1的電阻值約為多少？(A) 1.5 kΩ (B) 3 kΩ (C) 6 kΩ (D) 9 k
34 如圖所示電路為由理想 OPA 構成的雙穩態振盪器，輸入 vI為-5 及 1 伏特時都無法改變輸出 vO的原始儲存值（無論是+12 或-12 V），則電路中的偏壓電源 VR可能為下列那一電壓值？(
36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？(A) 1.
36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？ (A) 1
37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
38 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知 R = 10 kΩ，C = 16 nF，請問使此電路產生振盪的基本條件 R2 /R1值應為多少？(A) 1 (B)