37 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 0.838 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 24 pF，Cμ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，
38 如圖之電路，L1 = L2 = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮 R1對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻率為何？ (A)0.65 MHz (B)0.85 MHz (C)1.05 MH
39 矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容 Cj ，這個電容的主要電荷來自下列何者？ (A)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的載子(B)P 型 N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜
3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1
4 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V3 =1002× V2 − 998×V1，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？(
5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 vI 的波形如下所示，VDD = 5 V，假設兩個電晶體 QP、QN的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（thresh
3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1
5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 vI 的波形如下所示，VDD = 5 V，假設兩個電晶體 QP、QN的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（thresh
6 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶
7 二極體順向導通時，下列何者正確？(A)在 N 端加相對正電壓，在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端(B)在 N 端加相對負電壓，在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端(C)在 N 端加相對正
8 如圖中 NPN 雙極性電晶體，β = 100，電晶體基射極的順偏電壓設為 0.8 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？(A) 12 (B) 22 (C) 8
6 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶
9 一個 OP AMP 的輸出的上下限為 ± 10 V，迴轉率（slew rate）為 1 V/μs，單增益頻寬 ft = 1 MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能
7 二極體順向導通時，下列何者正確？(A)在 N 端加相對正電壓，在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端(B)在 N 端加相對負電壓，在二極體內部中電子從 N 端流向 P 端(C)在 N 端加相對正
10 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為 25℃時，飽和電流（saturation current）Io = 2 μA，試問當溫度升高到 55℃時，飽和電流為多少？(A) 32 μA (B) 16 μ
9 一個 OP AMP 的輸出的上下限為 ± 10 V，迴轉率（slew rate）為 1 V/μs，單增益頻寬 ft = 1 MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能
13 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓 Vo(rms) = 14.14 伏特，則流過負載 RL = 2 kΩ 之峰值電流 Io(p)約為多少？(