32 如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，ro→∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE=10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，
34 如圖所示由兩個理想 OPA 構成的波形產生電路，測得 vO1 的頻率與振幅分別為 f1 與 Vm1，而 vO2 的頻率與振幅則分別為 f2與 Vm2，如果只有 R2的阻值變為原來的 2 倍，則下
35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β1 = β2 = 100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA，且第 2 級放大電路的輸入電阻 Ri2 = 20 kΩ，決定該串級放大電路的總
36 如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體 Q 的電流增益為 β = 100，Is = 10 mA，熱電壓（thermalvoltage）VT = 25 mV，圈數比 n = 10；試求由負載端 RL
37 如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體 Q1和 Q2的電流增益分別為 β1 = 50 和 β2 = 100，若 Q1和 Q2的 VBE都是 0.7 V 且輸出阻抗 ro不計，試求電晶體 Q1的
1 一幾何比 W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓 VOV（OverdriveVoltage）變為原來的 2 倍，則本質增益（Intrinsic Ga
2 對於場效電晶體（FET），下列敘述何者錯誤？(A)是屬於電壓控制的元件(B)所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）都需外加閘極電壓才會有通道存在(C)接面場效電晶體（JFET）不需外
3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1
4 有關新一代半導體科技技術的發展，下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢？(A)電晶體元件（device）的尺寸越來越小 (B)積體電路（IC）使用的電源越來越低(C)採用的初始晶圓（wafer）越來越
5 將一個 n-通道增強型 MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？(A)閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）(B)閘極對源極的電壓應為負值(C)閘極的電壓
6 對於一個 PN 接面二極體在順偏（forward bias）的條件下，下列何者正確？(A)P 側的電位較 N 側的電位為低(B)電流的方向為由 P 側流向 N 側(C)接面空乏區（depletio
7 關於 CMOS 反相器（inverter）功率消耗的敘述，下列何者錯誤？(A)CMOS 反相器的靜態功率消耗（static power dissipation）幾乎為零(B)CMOS 反相器要減少
8 有一 n 通道的 MOS 電晶體，其 μnCox = 50 μA/V2，VT,on = 1.0 V，λn =(0.1/L)V-1，其中 L 的單位為 μm，若 W = 10 μm，L = 10 μ
9 一個運算放大器，若 V+ = +10 mV 而 V- = -10 mV，那共模輸入電壓（Common-mode input voltage）為：(A)0 mV (B)+10 mV (C)+20 m