初等/五等/佐級電子學大意

19 如圖所示的二極體電路，二極體 D1 與 D2 為理想，此電路轉移函數（transfer funciton）中的轉折點之輸入及輸出電壓為何？ (A)-1 V 及 -1 V  (B)-1 V 及 -

20 如圖所示之電路包含三個串接的二極體及兩個串接電阻，若 VIN 為 10 V 且二極體的開啟電壓（turn-onvoltage）為 0.8 V，求 VOUT？ (A)2.4 V (B)6.2 V

21 如圖所示之電路中，若變壓器二次側 vs = Vm sinωt，則 iD1 之波形為何？ (A) (B) (C) (D)

22 利用一個二極體做交流半波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小：(A)大一個二極體順向啟動電壓 (B)大兩個二極體順向啟動電壓 (C)小一個二極體順向啟動電壓 (D)小兩個二極

23 如圖所示之放大器電路，電晶體 J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = -4 V，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ (A)1 kΩ (B)1/2 kΩ (C)1/3 kΩ (D)1/4

24 如圖所示之放大器電路，電晶體 M 之參數如下：Vth = 0.4 V，μnCox = 200 μA/V2，且 λ = 0，若此放大器電路之小信號電壓增益值為 0.85，則此電晶體 M 之 W/L

25 如圖所示之放大器電路，假設此電路之輸入阻抗為 50 Ω，輸出阻抗為 150 Ω，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益值為何？ (A)1 (B)3  (C)5 (D)50

26 如圖所示之放大器電路，假設電晶體 M 之參數如下：μnCoxW/L= 0.2 mA/V2，Vth = 2 V，且 λ = 0；求此放大器電路之小信號輸入電阻 Ri 之值為何？ (A)416 kΩ

27 如圖所示之電路，假定 β = 100 且 VEB(on) = 0.6 V，求 VEC 之值為何？(A)2.1 V (B)2.5 V  (C)2.9  (D)3.3 V

28 如圖所示之共射極放大器，其偏壓電路的主要優點為何？(A)所需偏壓電阻較小  (B)可操作於較低的電壓 (C)放大器的增益較大 (D)電晶體必定操作在主動區

29 如圖所示電路中，若輸出端 VX 的直流電壓為 3 V，電晶體的 VGS 為 1.5 V，求 R1/R2 為何？(A)1/3 (B)2/3 (C)3/2 (D)2/5

30 如圖所示之共閘極放大器，若要使電壓增益提升為原有值的兩倍，下列敘述何者錯誤？(A)將 RL 變成兩倍 (B)將轉導 gm 變成兩倍 (C)將過驅電壓（VGS－VTH）變成 1/2 倍 (D)將

31 如圖所示之 BJT 電路，假設 Q1 與 Q2 特性相同，VT = 25 mV 且 β = 100，求輸出電阻 Zout？(A)2.5 Ω (B)5 Ω (C)7.5 Ω (D)10 Ω

32 一個雙極性電晶體（BJT）元件的規格 β = 100，若其基極電流為 20 μA，集極電流為 1.2 mA，則電晶體操作在： (A)截止區 (B)主動區 (C)飽和區 (D)三極管區

33 如圖所示為一方波產生電路，於某個時間點測得其中電壓 Vf 值為 10 伏特，其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 15 V，則電路輸出訊號的頻率約為多少？ (A)1.55 kHz (B)3.25

34 如圖一與圖二所示，為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路，OPA 均採用相同的操作電源電壓，R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時，圖一與圖二之 vi

35 如圖所示電路為 CMOS 放大器，下列有關電容 C1 功能之敘述，何者正確？ (A)旁路電容（bypass capacitor） (B)耦合電容（coupling capacitor） (C)

36 下列何電路適用於產生方波訊號？(A)考畢茲振盪電路（Colpitts oscillator） (B)相移振盪電路（Phase shift oscillator） (C)韋恩電橋振盪器（Wien-

37 下列那一種單級電晶體放大器結構會有密勒效應（Miller effect）使高頻響應劣化？(A)共基極放大器 (B)共源極放大器 (C)射極隨耦器 (D)共閘極放大器

38 如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器，OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時，vi 應到達何值？ (A)-10 V (B)-2 V  (C)2 V (D)10 V

39 如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 CE 後，放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化？(A)變無窮大 (B)變小 (C)不變  (D)變大

40 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-Bridge oscillator），已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF，試求振盪頻率fo 約為多少？  (A)1 kHz(B)2 kHz (C

1 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD

2 如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vo / vi：(A)-1/4(B)-1/3 (C) -1(D) -3

3 CMOS 場效電晶體是採用何種場效電晶體製作成的？(A)PN 接合型場效電晶體 (B)MOS 空乏型場效電晶體(C) MOS 增強型場效電晶體 (D)各型場效電晶體都可以

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