8 有關 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？(A)溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大(B)溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電
11 如圖所示電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？(A)0.2 V(B)2 V(C)6 V(D)10 V
15 有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？(A)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 180° (B)電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差 0°(C)電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差 0° (D)
19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ω
21 如圖所示電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為 10 mA/V，電晶體之 β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出
22 雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：(A)BE 間逆偏，CB 間順偏 (B)BE 間順偏，CB 間逆偏(C)BE 及 CB 間均逆偏 (D)
23 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，其增益值 Vo / Vi為何？(A)10 V/
24 一個長通道 N 增強型 MOSFET，Vth = 1 V，當 VGS = 3 V、VDS = 4.5 V 時，ID = 0.8 mA；當 VGS = 2 V、VDS = 4.5 V 時，ID 為
26 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？(A)電流 ID越大，則轉導值（gm）越小(B)Cgs＞Cgd(C)ID越大，r
27 有關 MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？(A)單一增益頻率值與外部電路元件相關 (B)單一增益頻率值與轉導值成反比(C)共源極架構中短
29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF，其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為 C2，試求 C2 / C1的比值？(A)接近 0 (B)