20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍，可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID來達成？(A)將 ID增為 4 倍 (B)將 ID增為 2 倍 (C)將 ID增為 倍 (D)將
21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？(A)BJT 的轉導（Transconductance）gm比 FET 的轉導大(B)BJT 的輸出電阻 ro比
22 如圖所示之電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，輸出阻抗（ro）為 10 kΩ，試求 Vo/Vi=？(A)-2.5 (B)-
28 如圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應，IC=1 mA，VT=26 mV，β=100，Cπ=100 fF，Cμ=20 fF，且 CCS=30 fF，採用
29 如圖所示之電路，若忽略元件本身之寄生電容，下列敘述何者錯誤？ (A)該電路為高通放大器 (B)增加 Ib有助於降低低頻-3 dB 頻率（ωL ）(C)Cc增加有助於降低低頻-3 dB 頻率（ωL
31 非反向運算放大器電路具有增益 40 dB，其 3 dB 頻率為 25 kHz，將其應用在某特殊系統中，若此系統需要 50 kHz 的頻寬，在此情況下能夠達到的最大增益為何？(A)10 V/V (
34 圖示差動放大器，若電晶體 Q1與 Q2的特性相同，Q3與 Q4的特性相同，且其轉導（Transconductance）gm皆為 2 mA/V、輸出電阻 ro皆為 20 kΩ，則差模電壓增益 Ad
35 有一電路的轉移函數 ，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency）時，頻率與|T(s)|的變化關係，下列何者正確？(A)頻率每增大十倍，|T(s)|減少 10 dB (B)頻
37 一個兩級串接放大器電路，其第一級放大器之低 3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）與高 3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）分別為 1 kHz 與 1 MH
39 圖示放大器中所有電晶體特性完全相同且匹配，所有電晶體的|VA|=2 V，過驅電壓（Overdrive voltage）|VOV|=|VGS－Vt |=0.2 V，工作電流 ID皆為 0.2 mA
2 如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當 Vi = 0.2 V 時，求流經 R2電流為多少？ (A)2 μA(B)10 μA(C)20 μA(D)