32 有一差動放大器，其一端輸入 Vi1 = 100 μV，另一端輸入 Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益 Ad為 100，而共模拒斥比（CMRR）為 10，則其輸出電壓為何？(A)2.75
33 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（g
36 有關 Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？(A)可濾除高頻信號(B)濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率(C)當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性(D)當階數愈高，
37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？(A)接近
38 如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3
39 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？(A) 1
3 場效電晶體之本體效應（Body effect）是討論：(A) 本體（Body）的電壓可控制汲極（Drain）電流 (B)本體（Body）的電流可控制閘極（Gate）電流 (C)汲極（Drain）的
5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。
7 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示，V CC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF
8 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 VDD = 3V，電晶體之 μnCox = 200 μA/V2，W/L = 10，Vth = 0.5 V。試問電晶體的過驅電壓 VOV 為多少？ (A)0
9 類比積體電路中，使用差動對放大器，下列何者錯誤？(A)差動對具有寬廣的共模輸入範圍（common-mode range）串級時可避免使用耦合電容 (B)與單電晶體放大器比較，差動對使用兩個電晶體，
10 一個電壓 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 10 + 6 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。將此電壓加到一個 1 Ω 的電阻之上，試問此電阻承受的功率為何？ (A)18 W (B
12 差動式放大器中，共模斥拒比（common-mode rejection ratio）定義為 CMRR ≡| Ad| / |Acm |，其中 Ad 為差動增益、Acm 為共模增益，試問就差動式放大
13 輸入有正弦信號 vi(t) = Vmsin(ωt)伏特的理想箝位電路如圖所示，當測得電容器所跨電壓為 8 伏特且輸出信號 vo(t)的最小值為-18 伏特時，求 Vm 與 VR 之總和電壓為多少
14 有一橋式全波整流電路，其中之二極體均為理想。假設其輸出信號的峰值電壓為 14.14 伏特，若有效值電壓為 a 伏特、平均值電壓為 b 伏特、漣波電壓峰對峰值為 c 伏特及漣波因素為 r%，則有關