11如圖所示之電路,R1=1 kΩ 且 R2=4 kΩ,電源電壓 vs(t)=VScos(2000t) V。運算放大器的輸出電壓限制於±15V,輸出電流限制於±20 mA。若負載電阻 RL=10 kΩ
22圖示電路,若 VCC = 9 V、RC = 2 kΩ、RB = 100 kΩ,電晶體之 β= 100,VBE = 0.7 V,今若電晶體工作在主動區(active region)與飽和區(satu
25假設一 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 VTH= 2 V,若 VGS = 4 V 時且工作於飽和區之汲極電流 ID = 1.2 mA,VGS = 5 V 時的互導值 gm 約為何? (A
26假設一 NPN 電晶體的 β 值等於 100、熱電壓 VT = 25 mV、集極電流 IC = 2 mA,電晶體的射極電阻 re約為何? (A)8Ω(B) 10.5 Ω (C) 12.4 Ω(D)