5 雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？(A)集-射極電壓（VCE） (B)基極電流（IB） (C)電源電壓 (D)連在
6 雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為 A，基-集極空乏區厚度為 B， 則其大小關係下列何者正確？ (A) A>B (B)
7 圖示之電路，雙極性電晶體 β=100，基-射極導通電壓 VBE =0.7 V，集-射極電壓 VCE 約為何？ (A) 3.72 V (B) 6.72 V
8 有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？ (A)射極對基底 (B)汲極對基底 (C)閘極對
9 某一 n 通道 JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓 VGS =-5 V 且源極電阻 RS =2 kΩ，則汲極電流 ID 大小與方向為何？ (A) 2.5 mA、由汲極
10 一差動放大器 的 Ad =100，Acm =0.5， 兩個輸入分別是 Va(t)=0.01cos(2π 400t)+0.2cos(2π 60t)， Vb(t)=-0.01cos(2π
11 如圖之運算放大器電路，R1 與 C 串聯。Vi 為直流時，V0 \/Vi 為何？ (A) -R2 \/R1 (B)0 (C) 1+R2 \/R1
12 承上題，電容 C 接於電阻 R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0 \/Vi 值趨近於下列何者？ (A) -R2 \/R1 (B) 1+R2 \/R1
13 如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為 0.7 V，當 V1 =9 V 及 V2 =0 V，則 ID1 約為何？ (A) 0.25 mA (B) 0.5 mA (C)
14 假設二極體導通電壓為 0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為 7 V，Z1 之稽納（Zener） 電壓應為何？ (A) 6.3 V (B) 7.7 V
15 橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為 0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為 6 V，流過 150 Ω 電阻的電流為何？ (A) 5
16 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 Vin 為正弦波，頻率為 60 Hz，峰值電壓為 110 V，負載 RL 的平均功率約為何？ (A) 0.21 W
17 下圖實驗電路中，測量 Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？ (A)降低電容 C 值 (B)將二極體反接 (C)降低電阻 RL 值 (D)增加 V
18 圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為 60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？ (A) 120 Hz (B) 60 Hz (C) 1
19 如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為 0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？ (A) 73 mA (B) 80 mA (C) 83 mA (D) 9
20 圖為橋式整流電路，輸入信號為 80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？ (A) 71.94 V (B) 35.97 V
21 不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？ (A)微分器 (B)放大器 (C)限制器
22 圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？ (A) 60 Hz (B) 120 Hz (C) 30 Hz
23 如圖所示之電路，若 NPN 電晶體 β=100、VBE =0.7 V，下列敘述何者正確？ (A) IE =4.8 mA (B) IB =0.2 mA
24 有一如圖之 BJT 放大器，若 VBE =0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為 IB =20 μA
25 對於圖中的偏壓電路，RC =20 kΩ、RB =800 kΩ、VCC =10.7 V、VBE =0.7 V、IB =5 μA，其 β 最接近值為何？ (A) 50
26 如下圖所示之 N 通道增強型 MOSFET 電路，已知 ID =20 mA，則 VGS 約為何？ (A)3V (B)2V
27 有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？ (A) n 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate） (B) n 通道的空乏型 MOSFET
28 若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為 β，下列敘述何者正確？ (A) β 值大小與溫度無關 (B)相同電路之下，β 較小的電
29 有關 BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？ (A) BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定 (B) BJT 的小信號模型參數與工作點相關 (C)由