34下列何者與正弦波振盪電路無關？(A)具有正回授電路結構 (B)由回授電路決定振盪的頻率 (C)在振盪的頻率上，電路的閉迴路增益（closed-loop gain）將變得無窮大 (D)其閉迴路增益始
35圖示為一多諧振盪電路，若電路振盪頻率等於 fo = 12 kHz，則對應之 RB1 = RB2 = R 電阻值約為何？ (A) 4.17 kΩ (B) 6 kΩ (C) 8.33 kΩ (D)
36圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，運算放大器之輸出飽和電壓為 ±20 V，若其上臨界電壓（threshold voltage）VTH 為 16 V ，則該電路之 R2 電阻值為何？ (A)
37圖示為一 OPA 方波產生電路，其振盪週期約為何？ (A) 47 ms(B) 52.5 ms (C) 94 ms(D) 407 ms
38在高純度矽半導體中摻雜元素「砷（As）」之目的為何？(A)增加少數載子(B)增加導電性 (C)增加電洞數量(D)增加電阻值
39有一如圖之BJT 電路，若電路各節點電壓及電阻值如標示，則該 BJT 之 β 值應為何？ (A) 74 (B) 84 (C) 94(D) 104
40假設二極體導通電壓為 0.7 V，如圖所示電路，若要設計輸出峰值電壓為 12.3 V，則圖中電池 V為何值？ (A)3V (B)-3 V(C) 2.6 V(D)-2.6 V
1 可變電容二極體（Varactor）所調變的電容為下列何者？ (A)擴散電容 (B)空乏電容 (C)雜散電容 (D)順向電容
2 下列何種半導體可做為藍光 LED 發光層的材料？ (A) GaAs (B) AlN (C) GaN (D) GaP
3 一個發光二極體（LED）發光，需要 2 V 電壓及 10 mA 電流。LED 最高可承受的電壓為 2.6 V，和瞬間電流為 200 mA，超過此限度，LED 則會燒毀。此相同的三個 LED 並
4 結構為 NPN 的雙極性接面電晶體（BJT）在作為共射極線性放大器使用時，下列敘述何者正確？ (A)基極相對於射極之電壓為負 (B)基極相對於
5 有關 NPN 雙極性接面電晶體之敘述，下列何者錯誤？(A)電晶體的基極有效寬度愈窄，則 β 值愈高 (B)將電晶體射極、集極兩端對調使用，則 β 值會降低，這是因為集極濃度較射極低的緣故
6 如圖示 NPN 電晶體，VCC =7 V，VCE =3 V，此 NPN 電晶體工作於何區？ (A)順向主動區 (B)逆向主動區 (C)飽和區
7 如圖所示 JFET 電路，臨界電壓為-1 V，下列何者可使電晶體工作於歐姆區？ (A) VD =4.9 V，VG =3.2 V，VS =2.3 V (B) VD
8 有一 N 通道空乏型 MOSFET，其臨限電壓 VT =-2 V，汲極電壓 VD =2 V，源極電壓 VS =-1 V，則下列閘極電壓何者可使此 MOSFET 工作在飽和區？ (A)
9 一 MOSFET 操作於飽和區，於 VDS =3 V 時 ID =5 mA，且於 VDS =5 V 時 ID=5.5 mA，通道電阻為何？ (A) 0.04 kΩ
11 理想運算放大器組成的積分器輸入端應置放下列何者？ (A)電阻 (B)電容 (C)二極體
10 有關理想運算放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)輸入電阻為無窮大 (B)輸入電流為零 (C)開迴路電壓增益為無窮大 (D)兩輸入端信號相等時，輸出電壓值大於輸
12 如圖所示理想放大器電路，R1 =1 kΩ 且 R2 =4 kΩ，vI =2 V 時 v0 為何？ (A) -0.7 V (B) -8 V
13 正弦波經半波整流後，波形的平均值電壓對峰值電壓大小的比值約為何？ (A) 15.9% (B) 31.8% (C) 63.7%
14 當 60 Hz 的正弦波電壓輸入全波整流器，則輸出頻率為何？ (A) 60 Hz (B) 90 Hz (C) 120 Hz
15 有一稽納二極體（Zener Diode）在 25℃時，稽納電壓為 8.5 V，並具有正溫度係數為 0.05%\/℃，在 80℃ 時的稽納電壓約為何？ (A) 8.3 V
16 如下圖所示，假設矽二極體 D1 及 D2 的導通壓降均為 0.7 V，且 V=10 V、R1 =2 kΩ、R2 =5 kΩ，I2值為何？ (A) 0.35 mA (B) 1.37
17 圖為全波倍壓電路，當輸入（Vin）是 110 Vrms 之弦波，二極體視為理想，且 R、C1、C2 值夠大。輸 出端電壓（Vo）約為何？ (A) 220 V (B)
18 中心抽頭式變壓器之全波整流器如圖，輸入信號 Vs 為峰對峰值 240 V 之弦波，二極體視為理想。輸出電壓峰值為何？ (A) 60 V (B) 30 V (C)