26 有一如圖之空乏型MOSFET電路,若VSD= 2.5 V, Vtp= 1.5 V,μpCox(W/L)= 1mA/V2,當流過偏壓電阻 R1、R2 之電流為 0.1ID,則 R1、R2 約為何?
27 有關加強型 MOSFET 之敘述,下列何者錯誤?(A)加強型 MOSFET 發生通道長度調變時,通道長度會隨 VDS 的增加而略為縮短,造成 ID 略為減少 (B)加強型 MOSFET 操作於三
29 雙極性接面電晶體(BJT)之 β=100,熱電壓 VT = 25 mV。若此電晶體工作於集極電流 IC = 0.5 mA,則其小訊號模型參數 rπ 為何? (A) 1 kΩ (B) 2 kΩ (
32 關於場效電晶體(FET)放大電路的特性,下列何者正確?(A)共汲極放大電路的輸入電壓與輸出電壓之相位同相 (B)共汲極放大電路的輸入阻抗很低,非常適合作阻抗匹配 (C)共汲極放大電路的電壓增益很
34 有一串疊電路其定電流源為 I;已知 Q1 和 Q2 的互導分別為 gm1 和 gm2,輸出內阻分別為 r01 和 r02。若輸入阻抗 Ri =∞且互導 gm1=gm2=gm 及輸出阻 抗 r01
35 考慮如下電路中電容器 CC 對電壓增益之影響。假設所有電晶體的參數均為 β=200,rπ=5.21 kΩ,R1=R3=55 kΩ,R2=R4=31 kΩ,RC1=RC2=3.5 kΩ, RE1=
36 如圖所示,在放大器和 8 Ω 揚聲器之間加入了一變壓器,使得放大器負載端的電阻提升至 80 kΩ,則此變壓器的匝數比值 a 等於多少? (A) 10 (B) 50 (C) 100 (D) 200
37 一正弦波產生電路如圖所示,其中 L1 = 2 mH、L2 = 8 mH、C3 = 1.6 nF,其振盪頻率 f0 約為何? (A) 20 kHz (B) 40 kHz (C) 100 kHz (
38 NPN 雙極性接面電晶體,在主動區操作,β 值 99 變為 199,α 值的變化為何? (A) 0.96 變為 0.98 (B) 0.96 變為 0.99 (C) 0.99 變為 0.995 (
39 依如下電路(a)和(b),下列何者錯誤? (A)電路(a)和(b)都可以做為電壓比較器 (B)電路(a)和(b)的輸出都是雙穩態 (C)兩個電路的輸出(VO)和輸入(VI)的關係都是一對一 (D
40 如圖為一個使用負緣訊號 VI 進行觸發之單穩態多諧振盪電路。假設圖中稽納二極體的導通電壓和稽納崩潰電壓的和是 12V,二極體的導通電壓是 0.7 V。則 VI 腳位上的觸發訊號至少需要間隔多久才
2有關矽二極體材料之敘述,下列何者錯誤?(A)施體(Donor)雜質具有 5 個價電子 (B)經過摻雜(Doping)處理的半導體稱為本質(Intrinsic)半導體 (C) N 型材料的多數載子是電
4NPN 雙極性接面電晶體之特性,下列敘述何者正確?(A)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,也同時高於射極的主要載子濃度 (B)集極的主要載子濃度值高於基極的主要載子濃度值,但是卻低於射極