15.【圖 15】電路中R1=1kΩ、Rf =20kΩ,VCC =12V,若運算放大器的特性為理想,Vs= 0.1V,試求輸出電壓Vo?(A) -1.2 V(B) -2 V(C) 2.1 V(D) 1
29【圖. 29】電路中電晶體之β =120,VBE= 0V、VCE (sat ) =0.3V、VCC =10V,電阻器 ,試求VCE(近似值)?(A) 0.3 V(B)2 V(C) 3 V(D) 6
31.若Av表示開迴路電壓增益,β 表示回授因數,欲以此回授放大器電路來製作振盪器,設計條件應為何?(A)必須使用正回授且迴路增益 (B)必須使用負回授且迴路增益 (C)必須使用正回授且迴路增益 (D
23.某電晶體(BJT)的電流增益β由 50 變化到 100 時,則α的變化約為:(A)由 0.98 變化到 0.99(B)由 0.99 變化到 0.98(C)由 51 變化到 101(D)由 101
35.如【圖 35】之電路,若 IDC=60 mA,希望漣波電壓限制在 Vr(p-p)= 2 V,則 C 的電容量至少應為多少?(A) 141 μF(B)318 μF(C) 500 μF(D) 866
27.已知某 FET 的IDSS=10mA,夾止電壓VP = 4V - ,當工作點VGSQ= -2V時,試求 FET 之互導gm?(A) 0.5 mS(B) 1.5 mS(C) 2.5 mS(D) 3
38.如【圖 38】所示電路,RB = 20 kΩ,β = 99,若矽電晶體工作於飽和區,下列敘述何者正確?(A) VC>VB (B)Vout≒12V (C) Vin≧2.4V(D)IC約為 12mA