當一個操作在主動模式(active-mode)之雙極性接面電晶體，若其β=80，互導 gm=40mA/V 時【題組】27.可推知其跨於基極射極的 rp 值為：(A) 200W (B) 250W (C)
如【圖 29】所示之電路【題組】29.設 VCC=5V，電晶體導通之 VBE=0.7V，電晶體飽和之 VCE=0.2V，此電晶體最可能操作在：(A)截止(cut off)模式(B)主動(active)
31.如【圖 31】所示之電流鏡電路，設各電晶體具有相同特性，並均操作於主動模式(active mode)，且不計爾列效應(Early effect)。若 VCC=5V，R=1kW，假設導通之 VBE
如【圖 34】所示之 MOS 差動對(differential pair)電路中【題組】34.Q1 與 Q2 具有相同特性，其臨界電壓(thresholdvoltage)Vt=0.8V。當此電路操作於
38.一個理想的互導放大器(transconductance amplifier)應具有下列何種特性：(A)極大的輸入電阻與極大的輸出電阻 (B)極大的輸入電阻與極小的輸出電阻(C)極小的輸入電阻與極
40.對負回授放大器施加一頻率補償電容，其作用是使該回授放大器的迴路增益(loop gain)L 在可能的振盪頻率ω180，限定其大小|L|為：(A)恰為 0 (B)小於 1 (C)恰為 1 (D)大
21.若共射極組電晶體之p值由50變至100，則α值變化如何？(A)由 0.98 變至 0.99 (B)由 0.99 變至 0.98 (C)由 0.92 變至 0.96 (D)由 0.96 變至 0.