【題組21-22】如【圖 21】所示的電路,二極體 D 為理想二極體,請回答 21-22 題:【題組】21.若要使二極體導通,電壓源 E 至少需要多大?(A) IR1 (B) IR2 (C) 2IR1
【題組26-28】有一雙極性接面電晶體(BJT),操作於主動模式(active mode)。請回答 26-28 題:(提示:26-28 題有關 BJT 之各題,當涉及熱電壓 VT時,取 VT=25mV
【題組29-30】【題組】29.如【圖 29】的電路,設電晶體操作在主動模式(active mode),其 IC=0.5mA,RC=10kΩ,RL=10kΩ,RE=0.2kΩ,CE及 CC均極大。此電
31.在【圖 31】的電路,電晶體操作在主動模式(active mode),其 VBE=0.7V,β=100。設電流源 I=5mA,RB=50kΩ,RC=2kΩ,則 VE約為多大?(A) -0.7V(
32.一個 NMOSFET,其臨界電壓(Threshold Voltage)Vt=1V。輸入端的電壓,VGS=2V 時,其汲極飽和電流 ID=1mA。則當 VGS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(S
36.在【圖 36】的電路為一疊接(Cascode)放大器,其偏壓電路略去未顯示。電晶體 Q1、Q2 之跨導分別為 gm1、gm2,輸出電阻 ro1、ro2均為∞。此疊接放大器之小訊號電壓增益 Av=
40.藉由何種組態的負回授,可同時提高一個回授放大器的輸入電阻及輸出電阻?(A)並聯-並聯(Shunt-shunt) (B)並聯-串聯(Shunt-series)(C)串聯-並聯(Series-shu