39 如右圖所示為一個MOSFET放大器的小信號等效電路模型,此電路的電壓增益(vo / vi)為何? (A)-gm(ro + RD)(B)-gm RD(C)-gm ro RD(D)-gm(ro //
1 N通道增強型(Enhancement Type)MOSFET的臨界電壓Vt =3V,其閘極電壓為VG =4V,且源極接地,則當汲極的電壓為何,可讓此元件工作在歐姆區:(A) 0.5V (B) 1.
9 一差動放大器之共模拒斥比CMRR=1000,差模增益Ad = 50,兩個輸入訊號分別為 150 μV及 50 μV,則輸出電壓為下列何者?(A) 0.5005 mV (B) 5.005 mV (C
17 在室溫下,考慮一pn接面矽半導體,p側之電子濃度為 1×107cm-3,n側之電洞濃度為 1×105cm-3,當施加一逆向偏壓時,空乏區之分布應為下列何者?(A)大部分空乏區位於 n 側 (B)
18 如圖為共源級放大器(common source amplifier)電路,其飽和區之電流方程式為IDp = KP(VSGP – |VTP|)2,電晶體參數為:KP = 1 mA/V2,VTP =