1. 下列對接面場效電晶體 ( JFET ) 的描述,何者有誤?(A) JFET 有兩個閘極 ( Gate ) 和一個汲極 ( Drain ) 以及一個源極 ( Source ),共四個端點(B) J
1. 下列有關半導體特性的敘述,何者正確?(A) 純質(intrinsic)半導體內,自由電子與電洞的濃度不同 (B) n型半導體的導電度主要是由摻入(doping)的原子濃度與電子的移動率(mobi
1. 若半導體的本質載子濃度為 1.5 x 1010cm-3 ,當半導體掺雜鎵原子 (濃度為 1x1015cm-3 ),同時掺雜砷原子 (濃度為 8x1015cm-3 ),此時半導體內電洞濃度約為何值
2. 下列對斷路 PN 接面之描述,何者有誤?(A) 形成之障壁電壓 ( Barrier Potential ) 可以用伏特計 ( Voltage Meter ) 量測得到(B) N 型區域之多數載子
4. 下列對於一些特殊的二極體應用,何者有誤?(A) 發光二極體 ( Light-Emitting Diode, LED ) 的發光是利用一個摻雜有砷(As)或鎵(Ga)等材料之二極體,加上順向偏壓使
6. 下列對於 BJT 電晶體與 MOSFET 電晶體的敘述,何者有誤?(A) BJT 電晶體為雙極性 ( Bipolar ) 電晶體(B) BJT 電晶體為一種電壓控制元件,MOSFET 電晶體為一