19. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？(A) 當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄(B) 當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容(C) 在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半
29. 三個完全相同的放大器串接，所完成之放大器三分貝 (3dB) 高頻為 25 MHz，原來的單一放大器三分貝高頻約為何？ (註： )(A) 24 MHz (B) 32 MHz (C) 49 MHz
30. 如圖(十九)之電路，已知所有電晶體 VBE = 0.7 V、β= 50，則 A、B、C、D 均為 0 V 時，E 之電壓約 為多少？(A) 5 V (B) 0.2 V (C) 4.72 V (
34. 一個用來推動喇叭的元件可容許的最高工作介面溫度是 150℃，其規格明示加裝散熱片後，在 室溫 (25℃) 時可用的最大功率是 3.6 W；若散熱特性是線性，則在環境溫度為 50℃ 時，所容許的
35. 有一差動放大器，假設差動增益為 200，當兩輸入訊號分別為 150 µ V 與 50 µ V，差動放大器 輸出為 20.02 mV，試問該差動放大器之共模拒斥比 (CMRR) 為何？(A) 1
37. 如圖(二十二之一)之差動放大器，Q1與 Q2匹配 (matched)，且 VBE = 0.7 V，β=100， ，r µ的效應可忽略，電流源 I CS之等效模型 (equivalent mod
39. 利用如圖(二十四)所示之米勒積分器 (Miller integrator) 可使對稱方波轉換為三角波。當 輸入為 20 V (峰對峰)、平均值為 0 V、週期為 1 ms 之對稱方波時，若要得
ˉ2. 下列有關半導體之敘述，何者正確？(A) 當溫度升高時本質半導體的電阻會變大(B) P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度(C) 外質半導體中電洞與自由電子的濃度相同(D) N型半導體內總電子數
3. 下列敘述何者正確？(A) 紅外線LED可發紅色可見光(B) LED發光原理與白熾鎢絲燈泡相同(C) 矽二極體之障壁電壓即為熱當電壓(thermal voltage )(D) 矽二極體於溫度每上升
如圖 ( 一 ) 所示之理想二極體整流電路，若 V o 之平均值為 39.5 V，RL = 10 kΩ，Vi =100sin(100πt)V，Vo之漣波電壓峰對峰值為1V，【題組】4. 則C 值約為多